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1. (WO2019049780) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
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国際公開番号: WO/2019/049780 国際出願番号: PCT/JP2018/032339
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 31.08.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01R 4/02 (2006.01) ,H01R 43/02 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
R
導電接続;互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体;嵌合装置;集電装置
4
2個以上の導電部材間の,直接の接触,すなわち互いの接触による導電接続;そのような接触を行い,または保持する手段;導体のための間隔をあけた二つ以上の接続箇所があり,絶縁体を突き刺す接触子を用いる導電接続
02
はんだ付け,または溶接による接続
H 電気
01
基本的電気素子
R
導電接続;互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体;嵌合装置;集電装置
43
電線接続器または集電装置の製造,組立,保守または修理のためまたは導体接続のために特に採用される装置または方法
02
はんだまたは溶接接続のためのもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者:
原田 脩央 HARADA Naohisa; JP
近藤 浩 KONDO Hiroshi; JP
石川 喬介 ISHIKAWA Kyosuke; JP
川出 篤 KAWADE Atsushi; JP
代理人:
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
優先権情報:
2017-17040405.09.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
要約:
(EN) A semiconductor module bonding structure (4a) comprises: a semiconductor module (11) including a semiconductor element (12) and a positive electrode terminal (12p) serving as a plate-like power terminal electrically connected to the semiconductor element (12); and a main P-bus bar (6) serving as a bus bar including a plate-like bonding portion (7) bonded to the positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11). The positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11) and the bonding portion (7) of the main P-bus bar (6) are configured such that the positive electrode terminal (12p), which has a relatively smaller plate thickness, has a plate width greater than a plate width of the bonding portion (7), which has a relatively greater plate thickness. The positive electrode terminal (12p) and the bonding portion (7) are bonded to each other by performing fusion-welding in an arrangement in which the respective plate thickness directions are orthogonal to each other.
(FR) L'invention concerne une structure de liaison de module à semi-conducteur (4a) comprenant : un module à semi-conducteur (11) comprenant un élément semi-conducteur (12) et une borne d'électrode positive (12p) servant de borne électrique tabulaire connectée électriquement à l'élément semi-conducteur (12) ; et une barre omnibus P principale (6) servant de barre omnibus comprenant une partie de liaison tabulaire (7) liée à la borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11). La borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11) et la partie de liaison (7) de la barre omnibus P principale (6) sont conçues de telle sorte que la borne d'électrode positive (12p), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus petite, présente une largeur de plaque supérieure à une largeur de plaque de la partie de liaison (7), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus grande. La borne d'électrode positive (12p) et la partie de liaison (7) sont liées l'une à l'autre par réalisation d'un soudage par fusion dans un agencement dans lequel les directions d'épaisseur de plaque respectives sont orthogonales l'une à l'autre.
(JA) 半導体モジュールの接合構造(4a)は、半導体素子(12)と、半導体素子(12)に電気的に接続された板状のパワー端子としての正極端子(12p)と、を有する半導体モジュール(11)と、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)に接合された板状の接合部(7)を有するバスバーとしての主Pバスバー(6)と、を備え、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)と主Pバスバー(6)の接合部(7)は、相対的に板厚の小さい方である正極端子(12p)の板幅が相対的に板厚の大きい方である接合部(7)の板幅を上回るように構成され、且つそれぞれの板厚方向が互いに直交するように配置された状態で溶融溶接によって接合されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)