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1. (WO2019049764) ショットキーバリアダイオード
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国際公開番号: WO/2019/049764 国際出願番号: PCT/JP2018/032086
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 30.08.2018
IPC:
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
有馬 潤 ARIMA Jun; JP
平林 潤 HIRABAYASHI Jun; JP
藤田 実 FUJITA Minoru; JP
川崎 克己 KAWASAKI Katsumi; JP
井ノ口 大輔 INOKUCHI Daisuke; JP
代理人:
鷲頭 光宏 WASHIZU Mitsuhiro; JP
緒方 和文 OGATA Kazufumi; JP
優先権情報:
2017-17380411.09.2017JP
発明の名称: (EN) SCHOTTKY BARRIER DIODE
(FR) DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY
(JA) ショットキーバリアダイオード
要約:
(EN) [Problem] To provide a Schottky barrier diode which is not susceptible to dielectric breakdown due to concentration of the electric field. [Solution] A Schottky barrier diode according to the present invention is provided with: a semiconductor substrate 20 that is formed from gallium oxide; a drift layer 30 that is provided on the semiconductor substrate 20 and is formed from gallium oxide; an anode electrode 40 that forms a Schottky contact with the drift layer 30; and a cathode electrode 50 that forms an ohmic contact with the semiconductor substrate 20. The drift layer 30 comprises an outer peripheral trench 10 that is provided so as to surround the anode electrode 40 when viewed in plan. Since the drift layer 30 is provided with the outer peripheral trench 10 as described above, the electric field is dispersed due to the presence of the outer peripheral trench 10. Consequently, concentration of the electric field on a corner part of the anode electrode 40 is attenuated, thereby making dielectric breakdown less likely to occur.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode à barrière de Schottky qui n'est pas sensible à une rupture diélectrique due à la concentration du champ électrique. La solution selon l'invention porte sur une diode à barrière de Schottky comprenant : un substrat semi-conducteur 20 qui est formé à partir d'oxyde de gallium ; une couche de dérive 30 qui est disposée sur le substrat semi-conducteur 20 et qui est formée à partir d'oxyde de gallium ; une électrode d'anode 40 qui forme un contact Schottky avec la couche de dérive 30 ; et une électrode de cathode 50 qui forme un contact ohmique avec le substrat semi-conducteur 20. La couche de dérive 30 comprend une tranchée périphérique externe 10 qui est disposée de façon à entourer l'électrode d'anode 40 lorsqu'elle est vue en plan. Comme la couche de dérive 30 comprend la tranchée périphérique externe 10 telle que décrite ci-dessus, le champ électrique est dispersé en raison de la présence de la tranchée périphérique externe 10. Par conséquent, la concentration du champ électrique sur une partie d'angle de l'électrode d'anode 40 est atténuée, ce qui rend la rupture diélectrique moins susceptible de se produire.
(JA) 【課題】電界集中による絶縁破壊が生じにくいショットキーバリアダイオードを提供する。 【解決手段】酸化ガリウムからなる半導体基板20と、半導体基板20上に設けられた酸化ガリウムからなるドリフト層30と、ドリフト層30とショットキー接触するアノード電極40と、半導体基板20とオーミック接触するカソード電極50とを備える。ドリフト層30は、平面視でアノード電極40を囲む位置に設けられた外周トレンチ10を有する。このように、ドリフト層30に外周トレンチ10を設ければ、外周トレンチ10の存在によって電界が分散される。これにより、アノード電極40の角部における電界集中が緩和されることから、絶縁破壊が生じにくくなる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)