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1. (WO2019049735) 絶縁膜の成膜方法、基板処理装置及び基板処理システム
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国際公開番号: WO/2019/049735 国際出願番号: PCT/JP2018/031810
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 28.08.2018
IPC:
H01L 21/312 (2006.01) ,B05C 9/12 (2006.01) ,B05C 9/14 (2006.01) ,B05C 13/02 (2006.01) ,B05D 1/36 (2006.01) ,B05D 3/02 (2006.01) ,B05D 3/06 (2006.01) ,B05D 7/24 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,B05C 11/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C
液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
9
グループ1/00から7/00に包含されない手段によって表面に液体もしくは他の流動性材料を適用する装置または設備,または液体もしくは他の流動性材料を適用する手段が重要でないような装置もしくは設備
08
液体または他の流動性材料を適用しかつ補助操作を行なうためのもの
12
補助操作が適用後に行なわれるもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C
液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
9
グループ1/00から7/00に包含されない手段によって表面に液体もしくは他の流動性材料を適用する装置または設備,または液体もしくは他の流動性材料を適用する手段が重要でないような装置もしくは設備
08
液体または他の流動性材料を適用しかつ補助操作を行なうためのもの
14
補助操作に加熱作用を含むもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C
液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
13
被加工物の操作手段または保持手段,例.個々の物品のためのもの
02
特定の物品のためのもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D
液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
1
液体または他の流動性材料を適用する方法
36
液体または他の流動性材料を連続的に適用するもの,例.中間処理がないもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D
液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
3
液体または他の流動性材料を適用する表面の前処理;適用されたコーティングの後処理,例.液体または他の流動性材料を続いて適用することに先だってなされるすでに適用されたコーティングの中間処理
02
焼き付けによるもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D
液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
3
液体または他の流動性材料を適用する表面の前処理;適用されたコーティングの後処理,例.液体または他の流動性材料を続いて適用することに先だってなされるすでに適用されたコーティングの中間処理
06
放射線にさらすことによるもの
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D
液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
7
液体または他の流動性材料を特定の表面に適用するかまたは特定の液体または他の流動性材料を適用するのに特に適した,フロック加工以外の,方法
24
特定の液体または他の流動性材料を適用するためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
76
構成部品間の分離領域の形成
B 処理操作;運輸
05
霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C
液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
11
グループB05C1/00からB05C9/00までに特に分類されない構成部品,細部または付属品
02
表面にすでに適用された液体または他の流動性材料を拡げるまたは再分布するための装置;コーティングの厚さの制御
08
被加工物を操作,例.傾斜,することによって液体または他の流動性材料を拡げるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
村松 誠 MURAMATSU, Makoto; JP
源島 久志 GENJIMA, Hisashi; JP
代理人:
特許業務法人弥生特許事務所 YAYOY PATENT OFFICE; 神奈川県横浜市中区弥生町2丁目15番1号ストークタワー大通り公園3 601号 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058, JP
優先権情報:
2017-17428711.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING INSULATING FILM, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND SYSTEM FOR PROCESSING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 絶縁膜の成膜方法、基板処理装置及び基板処理システム
要約:
(EN) [Problem] To provide a technique by which good film quality can be achieved when forming a silicon oxide-containing insulation film as a coating film on a substrate. [Solution] A coating solution containing a polysilazane is applied onto a wafer W, the solvent of the coating solution is volatilized, and then the coating film is irradiated with ultraviolet rays in a nitrogen atmosphere before performing a curing process. Dangling bonds are thus generated in silicon which is a pre-hydrolyzed site in the polysilazane. Therefore, the energy required for hydrolysis is reduced, and unhydrolyzed sites are thus reduced even when the temperature of the curing process is set to 350°C. Since efficient dehydration condensation occurs as a result, the degree of crosslinking is improved, and a dense (high-quality) insulation film can be formed. In addition, by forming a protective film on the surface of the coating film after the coating film has been irradiated with ultraviolet rays, the reaction of dangling bonds prior to the curing process can be suppressed, and the film quality of the coating film is improved.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de produire une technique permettant d'obtenir une bonne qualité de film lors de la formation d'un film d'isolation contenant de l'oxyde de silicium en tant que film de revêtement sur un substrat. La solution selon l'invention consiste à appliquer une solution de revêtement contenant un polysilazane sur une tranche (W), à volatiliser le solvant de la solution de revêtement, puis à exposer le film de revêtement à des rayons ultraviolets dans une atmosphère d'azote avant de mettre en œuvre un procédé de durcissement. Des liaisons pendantes sont ainsi produites dans du silicium qui est un site pré-hydrolysé dans le polysilazane. Par conséquent, l'énergie nécessaire à l'hydrolyse est réduite, et les sites non hydrolysés sont ainsi réduits même lorsque la température du procédé de durcissement est réglée à 350 °C. Étant donné qu'une condensation de déshydratation efficace se produit en conséquence, le degré de réticulation est amélioré, et un film d'isolation dense (de haute qualité) peut être formé. De plus, la formation d'un film protecteur sur la surface du film de revêtement après exposition du film de revêtement à des rayons ultraviolets permet de supprimer la réaction de liaisons pendantes avant la mise en œuvre du procédé de durcissement, et d'améliorer la qualité de film du film de revêtement.
(JA) 【課題】基板上に酸化シリコンを含む絶縁膜を塗布膜として形成するにあたって、良好な膜質が得られる技術を提供すること。 【解決手段】ポリシラザンを含む塗布液をウエハWに塗布し、塗布液の溶媒を揮発させた後、キュア工程を行う前に、窒素雰囲気で前記塗布膜に紫外線を照射している。このためポリシラザンにおける予め加水分解される部位であるシリコンに未結合手を生成される。そのため加水分解に必要なエネルギーが低下することから、キュア工程の温度を350℃としたときにも、加水分解されずに残る部位が少なくなる。この結果効率的に脱水縮合が起こるので、架橋率が向上して緻密な(良質な膜質である)絶縁膜を成膜することができる。 また前記塗布膜に紫外線を照射した後塗布膜の表面に保護膜を形成することにより、キュア工程前における未結合手の反応を抑制することができ、塗布膜の膜質が良好になる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)