このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019049692) 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/049692 国際出願番号: PCT/JP2018/031373
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 24.08.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134 Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2400005, JP
発明者:
水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu; JP
畑中 誠 HATANAKA, Makoto; JP
滝本 政美 TAKIMOTO, Masami; JP
齋藤 香織 SAITO, Kaori; JP
代理人:
特許業務法人日誠国際特許事務所 NISSAY INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都港区虎ノ門四丁目3番1号城山トラストタワー33階 Shiroyama Trust Tower 33th Floor, 3-1, Toranomon 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1056033, JP
優先権情報:
2017-17113806.09.2017JP
発明の名称: (EN) CRYSTALIZED MONITOR METHOD, LASER ANNEALING APPARATUS, AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE SURVEILLANCE PAR CRISTALLISATION, APPAREIL DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER
(JA) 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法
要約:
(EN) According to the present invention, a film thickness calculation value of each film constituting a laminated structure in a non-treatment area which is adjacent to a treatment area to be annealed, and is not irradiated with a laser beam, is calculated; a crystallization level of the treatment area is calculated by fitting a second spectral spectrum measurement value of the treatment area and a second spectral spectrum calculation value calculated from the film thickness calculation value; and laser energy of the laser beam which a TFT substrate that is to be subjected to the next laser annealing treatment is irradiated with is adjusted.
(FR) Selon la présente invention, une valeur de calcul d'épaisseur de film de chaque film constituant une structure stratifiée dans une zone de non-traitement qui est adjacente à une zone de traitement à recuire, et n'est pas irradiée avec un faisceau laser, est calculée ; un niveau de cristallisation de la zone de traitement est calculé par ajustement d'une seconde valeur de mesure de spectre spectrale de la zone de traitement et d'une seconde valeur de calcul de spectre spectrale calculée à partir de la valeur de calcul d'épaisseur de film ; et l'énergie laser du faisceau laser dont un substrat TFT qui doit être soumis au traitement de recuit laser suivant est irradié avec est ajustée.
(JA) アニールを行う処理領域に近接するレーザ光が照射されない非処理領域の積層構造の各構成膜の膜厚計算値を算出し、処理領域の第2分光スペクトル測定値と、膜厚計算値から計算される第2分光スペクトル計算値と、のフィッティングにより、処理領域の結晶化レベルを算出して、次回にレーザアニール処理を行うTFT基板に対して照射するレーザ光のレーザエネルギーを調整する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)