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1. (WO2019049653) 基板及び発光素子
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国際公開番号: WO/2019/049653 国際出願番号: PCT/JP2018/030857
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 21.08.2018
IPC:
C30B 29/20 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/86 (2006.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
20
酸化アルミニウム
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
02
熱処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
84
基板が半導体本外以外のもの,例.絶縁体本外のもの
86
絶縁体本体がサファイアのもの,例.サファイア構造上のシリコン,すなわちSOS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
大井戸 敦 OHIDO Atsushi; JP
山沢 和人 YAMASAWA Kazuhito; JP
川崎 克己 KAWASAKI Katsumi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
2017-17404611.09.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE AND LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) SUBSTRAT ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 基板及び発光素子
要約:
(EN) This substrate 10 comprises a first layer L1 containing crystalline aluminum nitride, a second layer L2 containing crystalline α-alumina, and an intermediate layer Lm interposed between the first layer L1 and the second layer L2 and containing aluminum, nitrogen, and oxygen, wherein the nitrogen content of the intermediate layer Lm decreases from the first layer L1 toward the second layer L2 in direction Z, and the oxygen content of the intermediate layer Lm increases from the first layer L1 toward the second layer L2 in direction Z.
(FR) Cette invention concerne un substrat (10), comprenant une première couche (L1) contenant du nitrure d'aluminium cristallin, une seconde couche (L2) contenant de l'alpha-alumine cristalline, et une couche intermédiaire (Lm) interposée entre la première couche (L1) et la seconde couche (L2) et contenant de l'aluminium, de l'azote et de l'oxygène, la teneur en azote de la couche intermédiaire (Lm) diminuant de la première couche (L1) vers la seconde couche (L2) dans la direction Z, et la teneur en oxygène de la couche intermédiaire (Lm) augmentant de la première couche (L1) vers la seconde couche (L2) dans la direction Z.
(JA) 基板10は、結晶質の窒化アルミニウムを含む第一層L1と、結晶質のα‐アルミナを含む第二層L2と、第一層L1と第二層L2とによって挟まれ、アルミニウム、窒素及び酸素を含む中間層Lmと、を備え、中間層Lmにおける窒素の含有量が、第一層L1から第二層L2に向かう方向Zに沿って減少し、中間層Lmにおける酸素の含有量が、第一層L1から第二層L2に向かう方向Zに沿って増加する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)