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1. (WO2019049610) 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法
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国際公開番号: WO/2019/049610 国際出願番号: PCT/JP2018/030185
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 13.08.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke; JP
浅田 真希 ASADA, Maki; JP
代理人:
安部 誠 ABE, Makoto; JP
優先権情報:
2017-17255707.09.2017JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION AND SILICON-SUBSTRATE POLISHING METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法
要約:
(EN) Provided is a polishing composition with which it is possible to simultaneously realize low LPD and low surface roughness. The polishing composition provided by the present invention includes abrasive grains, a water-soluble polymer, a surfactant, and a basic compound. With the water-soluble polymer, a washing parameter α represented by expression α = θ1 −θ0 satisfies 1 < α < 35. Here, θ0 in the aforementioned expression is the water contact angle of a pre-SC-1-treatment wafer obtained by applying an aqueous solution of the water-soluble polymer to a surface of a monocrystalline silicon wafer and by subsequently washing the surface with water, and θ1 in the aforementioned expression is the water contact angle of a post-SC-1-treatment wafer obtained by subjecting the pre-SC-1-treatment wafer to a washing treatment A in which the pre-SC-1-treatment wafer is treated for 10 seconds with a room-temperature SC-1 washing liquid LA containing 29% aqueous ammonia, 31% hydrogen peroxide solution, and water at a volume ratio of 1:2:30.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage avec laquelle il est possible de réaliser simultanément un faible dépôt en phase liquide et une faible rugosité de surface. La composition de polissage selon la présente invention contient des grains abrasifs, un polymère soluble dans l'eau, un surfactant et un composé basique. Avec le polymère soluble dans l'eau, un paramètre de lavage α représenté par l'expression α = θ1 −θ0 satisfait 1 < α < 35. Selon l'invention, θ0 dans l'expression susmentionnée est l'angle de contact avec l'eau d'une tranche de traitement pré-SC-1 obtenue par application d'une solution aqueuse du polymère soluble dans l'eau à une surface d'une tranche de silicium monocristallin et par lavage ultérieur de la surface avec de l'eau, et θ1 dans l'expression susmentionnée est l'angle de contact avec l'eau d'une tranche de traitement post-SC-1 obtenue en soumettant la tranche de traitement pré-SC-1 à un traitement de lavage A dans lequel la tranche de traitement pré-SC-1 est traitée pendant 10 secondes avec un liquide de lavage SC-1 à température ambiante LA contenant 29 % d'ammoniac aqueux, 31 % de solution de peroxyde d'hydrogène et de l'eau à un rapport volumique de 1: 2:30.
(JA) 低LPDおよび低表面粗さを同時に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒、水溶性高分子、界面活性剤、および塩基性化合物を含む。上記水溶性高分子は、以下の式:α=θ1-θ0;により表される洗浄性パラメータαが、1<α<35を満たす。ここで、上記式中のθ0は、単結晶シリコンウェーハの表面に上記水溶性高分子の水溶液を塗布した後に水洗して得られるSC-1処理前ウェーハの水接触角であり、上記式中のθ1は、上記SC-1処理前ウェーハに29%アンモニア水と31%過酸化水素水と水とを1:2:30の体積比で含む室温のSC-1洗浄液Lで10秒間処理する洗浄処理Aを施して得られるSC-1処理後ウェーハの水接触角である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)