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1. (WO2019049572) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/049572 国際出願番号: PCT/JP2018/029195
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 03.08.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
出願人:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者:
熊田 恵志郎 KUMADA, Keishirou; JP
橋爪 悠一 HASHIZUME, Yuichi; JP
星 保幸 HOSHI, Yasuyuki; JP
鈴木 啓久 SUZUKI, Yoshihisa; JP
代理人:
酒井 昭徳 SAKAI, Akinori; JP
優先権情報:
2017-17068005.09.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
要約:
(EN) This silicon carbide semiconductor device comprises: a first electroconductive type first semiconductor layer (2) provided on the outer surface of a first electroconductive type semiconductor substrate (1); a second electroconductive type second semiconductor layer (3); a first electroconductive type first semiconductor region (7); and striped gate electrodes (10) provided through a gate insulation film (9). In addition, this silicon carbide semiconductor device comprises a first electrode (13) provided on the surfaces of the second semiconductor layer (3) and the first semiconductor region (7), a plating film (16) selectively provided above the first electrode (13), and solder (17) that anchors a pin-shaped electrode (19) for extracting an external signal to the plating film (16). In a region facing the first electrode (13) where the solder (17) and the plating film (16) are provided, the gate electrodes (10) have a protruding portion extending in a direction that intersects the stripes, and the gate electrodes (10) are connected to one another.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium comprenant : une première couche semi-conductrice de premier type d'électroconductivité (2) disposée sur la surface externe d'un premier substrat semi-conducteur de premier type d'électroconductivité (1) ; une seconde couche semi-conductrice de second type d'électroconductivité (3) ; une première région semi-conductrice de premier type d'électroconductivité (7) ; et des électrodes de grille en bandes (10) disposées à travers un film d'isolation de grille (9). De plus, ce dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium comprend une première électrode (13) disposée sur les surfaces de la seconde couche semi-conductrice (3) et de la première région semi-conductrice (7), un film de placage (16) disposé sélectivement au-dessus de la première électrode (13), et une brasure (17) qui ancre une électrode en forme de broche (19) pour extraire un signal externe vers le film de placage (16). Dans une région faisant face à la première électrode (13) où la brasure (17) et le film de placage (16) sont prévus, les électrodes de grille (10) ont une partie en saillie s'étendant dans une direction qui coupe les bandes, et les électrodes de grille (10) sont reliées les unes aux autres.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、第1導電型の半導体基板(1)のおもて面に設けられた第1導電型の第1半導体層(2)と、第2導電型の第2半導体層(3)と、第1導電型の第1半導体領域(7)と、ゲート絶縁膜(9)を介して設けられたストライプ形状のゲート電極(10)と、を備える。また、第2半導体層(3)と第1半導体領域(7)の表面に設けられた第1電極(13)と、第1電極(13)上に、選択的に設けられためっき膜(16)と、めっき膜(16)上に外部信号をとり出すピン状電極(19)を固着するはんだ(17)と、を備える。ゲート電極(10)は、はんだ(17)およびめっき膜(16)が設けられた第1電極(13)と対向する領域において、ストライプ形状と交わる方向に延在した凸部分を有し、ゲート電極(10)同士が接続されている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)