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1. (WO2019049472) スパッタリング装置
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国際公開番号: WO/2019/049472 国際出願番号: PCT/JP2018/024020
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 25.06.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
35
磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
中野 賢明 NAKANO Katsuaki; JP
柳沼 寛寿 YAGINUMA Kanji; JP
代理人:
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2017-17248707.09.2017JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング装置
要約:
(EN) The present invention provides a sputtering device capable of forming a predetermined thin film inside holes and trenches formed on the surface of a substrate with preferable symmetry and good coverage. This sputtering device is provided with a vacuum chamber in which a target is disposed, and forms a thin film on the surface of a substrate by sputtering while rotating a circular substrate W at a predetermined number of rotations in the vacuum chamber. The sputtering device is also provided with: a stage that rotatably holds a substrate in a state in which the center of the substrate is offset at a predetermined interval from the center of a target to one side in the radial direction; and a shielding plate that is provided between the target and the substrate on the stage to cover the substrate, wherein the shielding plate is formed with an opening that allows the passage of sputter particles scattered from the target to the substrate side, and the opening has a contour in which the opening area is gradually increased from a starting point in the central region of the substrate toward the radially outward direction. The increased amount of the opening area is set according to the distance between the target and the substrate.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique apte à former un film fin prédéterminé à l’intérieur de trous et de tranchées formés sur la surface d’un substrat avec une symétrie préférable et une bonne couverture. Ce dispositif de pulvérisation cathodique est muni d’une chambre à vide dans laquelle une cible est disposée, et qui forme un film fin sur la surface d’un substrat par pulvérisation cathodique tout en faisant tourner un substrat circulaire W selon un nombre prédéterminé de rotations dans la chambre à vide. Le dispositif de pulvérisation cathodique est également muni : d’un étage qui maintient de manière à pouvoir tourner un substrat sous un état dans lequel le centre du substrat est décalé à un intervalle prédéterminé depuis le centre d’une cible vers un côté dans le sens radial ; et une plaque de protection qui est disposée entre la cible et le substrat sur l’étage pour recouvrir le substrat, la plaque de protection étant formée avec une ouverture qui permet le passage des particules de pulvérisation cathodique diffusées depuis la cible vers le côté substrat, et l’ouverture présentant un contour dans lequel la zone d’ouverture est progressivement accrue depuis un point de départ dans la région centrale du substrat vers le sens radialement vers l’extérieur. La quantité accrue de la surface d’ouverture est définie en fonction de la distance entre la cible et le substrat.
(JA) 基板表面に形成されたホールやトレンチの内部に良好な対称性を持ちながら且つカバレッジ良く所定の薄膜が成膜できるスパッタリング装置を提供する。ターゲットが配置される真空チャンバを備え、真空チャンバ内で、円形の基板Wを所定の回転数で回転させながらスパッタリングして基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、基板の中心がターゲットの中心から径方向一方に所定間隔でオフセットされた状態でこの基板を回転自在に保持するステージと、ターゲットとステージ上の基板との間に設けられて基板を覆う遮蔽板とを備え、遮蔽板にはターゲットから飛散するスパッタ粒子の基板側への通過を許容する開口部が形成され、開口部は、基板の中心領域を起点としてこの起点から径方向外方へと向かうに従いその開口面積が次第に増加するような輪郭を持ち、開口面積の増加量がターゲットと基板との間の距離に応じて設定される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)