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1. (WO2019049469) サセプタ、CVD装置及びエピタキシャルウェハの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/049469 国際出願番号: PCT/JP2018/023891
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 22.06.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
発明者:
梅田 喜一 UMETA Yoshikazu; JP
深田 啓介 FUKADA Keisuke; JP
石橋 直人 ISHIBASHI Naoto; JP
渥美 広範 ATSUMI Hironori; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2017-17201207.09.2017JP
発明の名称: (EN) SUSCEPTOR, CVD DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
(FR) SUSCEPTEUR, DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) サセプタ、CVD装置及びエピタキシャルウェハの製造方法
要約:
(EN) This susceptor (1) holds a wafer in a CVD device that forms a film on a wafer by chemical vapor deposition, and comprises an outer susceptor (2) and an inner susceptor (1). The outer susceptor (2) has an opening (2c) for fitting and accommodating the inner susceptor (1), and a wafer placement surface (2a) on which an outer peripheral section (Ws) of a wafer is placed. The inner susceptor (1) has a protruding section (1a) on a surface (1b) opposite a wafer (W), and the protruding section (1a) has a height (h) that is not tall enough to come into contact with the wafer (W) when the wafer (W) is placed on the susceptor.
(FR) L'invention concerne un suscepteur (1) maintenant une tranche dans un dispositif CVD qui forme un film sur une tranche par dépôt chimique en phase vapeur, et comprend un suscepteur externe (2) et un suscepteur interne (1). Le suscepteur externe (2) a une ouverture (2c) pour ajuster et recevoir le suscepteur interne (1), et une surface de placement de tranche (2a) sur laquelle une section périphérique externe (Ws) d'une tranche est placée. Le suscepteur interne (1) a une section en saillie (1a) sur une surface (1b) opposée à une tranche (W), et la section en saillie (1a) a une hauteur (h) qui n'est pas suffisamment élevée pour entrer en contact avec la tranche (W) lorsque la tranche (W) est placée sur le suscepteur.
(JA) 本発明のサセプタ(1)は、化学的気相成長によってウェハ上に膜を形成するCVD装置においてウェハを保持するサセプタであって、外側サセプタ(2)と内側サセプタ(1)を含み、外側サセプタ(2)は内側サセプタ(1)を嵌合させて収納する開口部(2c)と、ウェハの外周部(Ws)が載置されるウェハ載置面(2a)を有し、内側サセプタ(1)は、ウェハ(W)と対向する面(1b)に突起部(1a)を有し、突起部(1a)の高さ(h)が、サセプタにウェハ(W)を載置したときにウェハ(W)に接しない高さである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)