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1. (WO2019049385) サブアンプ、スイッチング装置、及び、半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/049385 国際出願番号: PCT/JP2017/032724
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 11.09.2017
IPC:
G11C 7/06 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
7
デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構
06
センス増幅器;関連回路
出願人:
ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP/JP]; 東京都八王子市旭町11-8 アクセスビル3階 Access Bldg. 3F, 11-8, Asahi-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920083, JP
発明者:
山田 康利 YAMADA Yasutoshi; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki; JP
林 一好 HAYASHI Kazuyoshi; JP
崎間 伸洋 SAKIMA Nobuhiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUB-AMPLIFIER, SWITCHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SOUS-AMPLIFICATEUR, DISPOSITIF DE COMMUTATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) サブアンプ、スイッチング装置、及び、半導体装置
要約:
(EN) Provided are a sub-amplifier, a switching device and a semiconductor device capable of simultaneously reading or writing many data items, while suppressing an increase in chip surface area, by using a single end signal line. A sub-amplifier SAP comprises: a first pre-charge circuit 110 that releases pre-charges of a pair of local wires LIOT/LIOB; a local inversion drive circuit 120 that, on the basis of a write signal WT, inverts and transfers write data to a sense amplifier SA from a main wire MIOB via one of the local wires LIOT/LIOB; a local non-inversion drive circuit 130 that, on the basis of the write signal WT, transfers the write data to the sense amplifier SA from the main wire MIOB via the other one of the local wires LIOT/LIOB; and a main inversion drive circuit 140 that, on the basis of a read signal RT, inverts and transfers read data to the main wire MIOB from one of the local wires LIOT/LIOB.
(FR) L'invention concerne un sous-amplificateur, un dispositif de commutation et un dispositif à semi-conducteur capables de lire ou d'écrire simultanément de nombreux éléments de données, tout en supprimant une augmentation de la surface de la puce, à l'aide une seule ligne de signal d'extrémité. Un sous-amplificateur SAP comprend : un premier circuit de précharge (110) qui libère des pré-charges d'une paire de fils locaux LIOT/LIOB ; un circuit de commande d'inversion local (120) qui, sur la base d'un signal d'écriture WT, inverse et transfère des données d'écriture à un amplificateur de détection SA à partir d'un fil principal MIOB par l'intermédiaire d'un des fils locaux LIOT/LIOB ; un circuit de commande de non d'inversion local (130) qui, sur la base du signal d'écriture WT, transfère les données d'écriture à l'amplificateur de détection SA à partir du fil principal MIOB par l'intermédiaire de l'autre fil local parmi les fils locaux LIOT/LIOB ; et un circuit de commande d'inversion principal (140) qui, sur la base d'un signal de lecture RT, inverse et transfère des données de lecture au fil principal MIOB à partir de l'un des fils locaux LIOT/LIOB.
(JA) シングルエンド信号線を用いることで、チップ面積の増加を抑制しつつ、多くのデータを同時に読み出し又は書き込みが可能なサブアンプ、スイッチング装置、及び半導体装置を提供すること。 サブアンプSAPは、一対のローカル配線LIOT,LIOBのプリチャージを解除する第1プリチャージ回路110と、書き込み信号WTに基づいてローカル配線LIOT,LIOBの一方を介してメイン配線MIOBからセンスアンプSAに書き込みデータを反転して転送するローカル反転駆動回路120と、書き込み信号WTに基づいてローカル配線LIOT,LIOBの他方を介してメイン配線MIOBからセンスアンプSAに書き込みデータを転送するローカル非反転駆動回路130と、読み出し信号RTに基づいて、ローカル配線LIOT,LIOBの一方からメイン配線MIOBに読み出しデータを反転して転送するメイン反転駆動回路140と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)