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1. (WO2019049251) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/049251 国際出願番号: PCT/JP2017/032213
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 07.09.2017
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
大佐賀 毅 OSAGA Tsuyoshi; JP
阿多 保夫 ATA Yasuo; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) A semiconductor device (10) is provided with: a P-type well layer (2), an N-type emitter layer (3), gate insulating films (4), and gate electrodes (5a, 5b) on the upper surface side of an N--type drift layer (1); and an N-type buffer layer (6), a P-type collector layer (7), and N++-type layers (8) on the lower surface side of the N--type drift layer (1). The N++-type layer (8) is partially formed inside the N-type buffer layer (6). The N++-type layer (8) has an impurity concentration that is higher than the impurity concentration of the N-type buffer layer (6) and that is equal to or higher than the impurity concentration of the P-type collector layer (7).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (10) comprenant : une couche de puits du type P (2), une couche émettrice du type N (3), des films isolants de grille (4), et des électrodes grille (5a, 5b) du côté surface supérieure d'une couche de dérive du type N- (1) ; et une couche tampon du type N (6), une couche de collecteur du type P (7), et des couches du type N++ (8) du côté surface inférieure de la couche de dérive du type N- (1). La couche du type N++ (8) est partiellement formée dans la couche tampon du type N (6). La couche du type N++ (8) présente une concentration en impuretés supérieure à la concentration en impuretés de la couche tampon du type N et supérieure ou égale à la concentration en impuretés de la couche de collecteur du type P (7).
(JA) 半導体装置(10)は、N型ドリフト層(1)の上面側に、P型ウェル層(2)、N型エミッタ層(3)、ゲート絶縁膜(4)およびゲート電極(5a,5b)を備え、N型ドリフト層(1)の下面側に、N型バッファ層(6)と、P型コレクタ層(7)と、N++型層(8)とを備える。N++型層(8)は、N型バッファ層(6)内に部分的に形成されている。N++型層(8)は、不純物濃度がN型バッファ層(6)の不純物濃度よりも高く、且つ、P型コレクタ層(7)の不純物濃度以上の不純物濃度を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)