このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019049244) トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/049244 国際出願番号: PCT/JP2017/032148
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 06.09.2017
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE À EFFET TUNNEL ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
要約:
(EN) This TMR element is provided with: a reference layer; a magnetization free layer; a tunnel barrier layer between the reference layer and the magnetization free layer; and a vertical magnetization inducing layer and a leak layer which are stacked on the magnetization free layer on the opposite side from the tunnel barrier layer side. The magnetization direction of the reference layer is fixed in a stacking direction. The vertical magnetization inducing layer provides the magnetization free layer with magnetic anisotropy in a direction aligned with the stacking direction. The leak layer is disposed over an end region in an in-plane direction of the magnetization free layer. The vertical magnetization inducing layer is disposed over at least a central region in the in-plane direction of the magnetization free layer. The leak layer has a smaller resistance value in the stacking direction per in-plane unit area than the vertical magnetization inducing layer.
(FR) La présente invention concerne un élément TMR qui comporte : une couche de référence ; une couche dépourvue de magnétisation ; une couche de barrière à effet tunnel entre la couche de référence et la couche dépourvue de magnétisation ; et une couche d’induction de magnétisation verticale et une couche de fuite qui sont empilées sur la couche dépourvue de magnétisation du côté opposé au côté de la couche de barrière à effet tunnel. La direction de magnétisation de la couche de référence est fixée dans une direction d’empilement. La couche d’induction de magnétisation verticale confère à la couche dépourvue de magnétisation une anisotropie magnétique dans une direction alignée à la direction d’empilement. La couche de fuite est disposée au-dessus d’une zone d’extrémité dans une direction dans le plan de la couche dépourvue de magnétisation. La couche d’induction de magnétisation verticale est disposée au-dessus d’au moins une zone centrale dans la direction dans le plan de la couche dépourvue de magnétisation. La couche de fuite a une valeur de résistance inférieure dans la direction d’empilement par unité d’aire dans le plan à celle de la couche d’induction de magnétisation verticale.
(JA) TMR素子は、参照層と、磁化自由層と、これらの間のトンネルバリア層と、磁化自由層のトンネルバリア層側とは反対側に積層された垂直磁化誘起層及びリーク層とを備える。参照層の磁化方向は、積層方向に沿って固定されており、垂直磁化誘起層は、磁化自由層に積層方向に沿った方向の磁気異方性を付与し、リーク層は、磁化自由層の面内方向の端部領域上に設けられており、垂直磁化誘起層は、磁化自由層の面内方向の少なくとも中央領域上に設けられており、リーク層は、垂直磁化誘起層よりも、面内の単位面積当たりの積層方向に沿った抵抗値が小さい。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)