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1. (WO2019048979) 電子機器
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国際公開番号: WO/2019/048979 国際出願番号: PCT/IB2018/056473
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 27.08.2018
IPC:
G06G 7/60 (2006.01) ,G05F 3/26 (2006.01) ,G06N 3/063 (2006.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
G
アナログ計算機
7
計算動作が電気的または磁気的量を変化させることにより行われる装置
48
特定のプロセス,システムまたは装置のためのアナログ計算機,例.シミュレータ
60
生体のためのもの,例.神経系統用
G 物理学
05
制御;調整
F
電気的変量または磁気的変量の調整システム
3
自己調整特性を有する一つの非制御素子,または複数の素子から成る組合せであって自己調整特性を有するものによって,電気的変量を調整する非反作用系
02
電流または電圧の調整
08
直流のもの
10
非線形特性を有する非制御素子を使用するもの
16
半導体装置であるもの
20
ダイオードトランジスタの組合せを用いるもの
26
カレントミラー
G 物理学
06
計算;計数
N
特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3
生物学的モデルに基づくコンピュータ・システム
02
ニューラル・ネットワーク・モデルを用いるもの
06
物理的な実現,すなわち,ニューラル・ネットワーク,ニューロン,ニューロン構成要素のハードウェア実装
063
電子的手段を用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
40
トランジスタを用いるもの
401
リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
403
多数のメモリセルに共通な電荷再生,すなわち外部リフレッシュをもつもの
405
1つのセル当り,3つの電荷転送ゲート,例.MOSトランジスタ,をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8242
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
108
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
原田伸太郎 HARADA, Shintaro; JP
井上達則 INOUE, Tatsunori; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
優先権情報:
2017-17082506.09.2017JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子機器
要約:
(EN) Provided is electronic equipment having a semiconductor device capable of intermittent operation. The electronic equipment has a semiconductor device, and the semiconductor device has a current mirror circuit, a bias circuit and first through third transistors. The current mirror circuit has a first output terminal and a second output terminal, and is electrically connected to a power source supply line via the first transistor. The current mirror circuit has a function whereby currents corresponding to the potential of the first output terminal are respectively output from the first output terminal and the second output terminal. The bias circuit has a current source circuit and a current sink circuit. The current source circuit is electrically connected to the second output terminal via the second transistor, and the current sink circuit is electrically connected to the second output terminal via the third transistor. The intermittent operation of the semiconductor device is achieved by switching the on/off states of the first through third transistors.
(FR) L'invention concerne un équipement électronique comportant un dispositif à semi-conducteur capable de fonctionner par intermittence. L'équipement électronique comprend un dispositif à semi-conducteur, et le dispositif à semi-conducteur comporte un circuit miroir de courant, un circuit de polarisation et des premier à troisième transistors. Le circuit miroir de courant comporte une première borne de sortie et une deuxième borne de sortie, et est connecté électriquement à une ligne d'alimentation de source d'énergie par l'intermédiaire du premier transistor. Le circuit miroir de courant a une fonction selon laquelle des courants correspondant au potentiel de la première borne de sortie sont respectivement fournis par la première borne de sortie et la deuxième borne de sortie. Le circuit de polarisation comporte un circuit source de courant et un circuit collecteur de courant. Le circuit source de courant est connecté électriquement à la deuxième borne de sortie par l'intermédiaire du deuxième transistor, et le circuit collecteur de courant est connecté électriquement à la deuxième borne de sortie par l'intermédiaire du troisième transistor. Le fonctionnement intermittent du dispositif à semi-conducteur est obtenu par commutation des états passant/bloquant des premier à troisième transistors.
(JA) 要約書 間欠駆動が可能な半導体装置を有する電子機器を提供する。 電子機器は半導体装置を有し、 半導体装置はカレントミラー回路と、 バイアス回路と、 第1乃至第3 トランジスタと、を有する。カレントミラー回路は、第1出力端子と、第2出力端子と、を有し、カ レントミラー回路は、 第1トランジスタを介して、 電源供給線と電気的に接続されている。 また、 カ レントミラー回路は、 第1出力端子の電位に応じた電流を、 第1出力端子及び第2出力端子からそれ ぞれ出力する機能を有する。バイアス回路は、電流ソース回路と、電流シンク回路と、を有し、電流 ソース回路は、第2トランジスタを介して、第2出力端子と電気的に接続され、電流シンク回路は、 第3トランジスタを介して、 第2出力端子と電気的に接続されている。 第1乃至第3トランジスタの オン状態、オフ状態の切り替えによって、半導体装置で間欠駆動を実現する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)