このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019048767) PROCESS FOR MANUFACTURING AN LED-BASED EMISSIVE DISPLAY DEVICE
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/048767 国際出願番号: PCT/FR2018/052152
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 03.09.2018
IPC:
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
075
装置がグループ33/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
58
光の形状を形成する要素
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
62
半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品,例.リードフレーム,ワイヤボンドまたはハンダ
出願人:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25 Rue Leblanc 75015 Paris, FR
発明者:
ROBIN, Ivan-Christophe; FR
CAPLET, Stéphane; FR
ROSSINI, Umberto; FR
代理人:
CABINET BEAUMONT; 4 Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
優先権情報:
175818905.09.2017FR
発明の名称: (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING AN LED-BASED EMISSIVE DISPLAY DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EMISSIF A LED
要約:
(EN) The invention relates to a process for manufacturing an LED-based display device, including the following successive steps: a) adding, to a planar face of a carrier wafer (150) made of a transparent material, the other face of which is structured and defines a plurality of microlenses, a plurality of semiconductor chips (100), each comprising at least one LED; and b) forming a network (130) of conductive interconnect tracks making contact with the chips (100) via their face that is opposite the carrier wafer (150).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à LED, comportant les étapes successives suivantes : a) reporter, sur une face plane d'une plaque de support (150) en un matériau transparent dont l'autre face est structurée et définit une pluralité de microlentilles, une pluralité de puces semiconductrices (100) comprenant chacune au moins une LED; et b) former un réseau (130) de pistes conductrices d'interconnexion contactant les puces (100) par leur face opposée à la plaque de support (150).
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: フランス語 (FR)
国際出願言語: フランス語 (FR)