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1. (WO2019047988) TRANSVERSELY TWO-WAY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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国際公開番号: WO/2019/047988 国際出願番号: PCT/CN2018/900005
国際公開日: 14.03.2019 国際出願日: 01.09.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No. 8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
発明者:
何乃龙 HE, Nailong; CN
张森 ZHANG, Sen; CN
李许超 LI, Xuchao; CN
代理人:
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房 (部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途) Room 4501, No. 6 Zhujiang East Road, Tianhe District, Guangzhou Guangdong 510623, CN
優先権情報:
201710801871.707.09.2017CN
発明の名称: (EN) TRANSVERSELY TWO-WAY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE À DIFFUSION BIDIRECTIONNELLE TRANSVERSALEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
要約:
(EN) A transversely two-way diffused metal oxide semiconductor component and a manufacturing method therefor. The transversely two-way diffused metal oxide semiconductor component comprises: a semiconductor substrate, the semiconductor substrate being provided thereon with a drift area; the drift area being provided therein with a trap area and a drain area, the trap area being provided therein with an active area and a channel; the drift area being provided therein with a deep trench isolation structure arranged between the trap area and the drain area, and the deep trench isolation structure being provided at the bottom thereof with alternately arranged first p-type injection areas and first n-type injection areas.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur à oxyde métallique à diffusion bidirectionnelle transversalement et son procédé de fabrication. Le composant semi-conducteur à oxyde métallique à diffusion bidirectionnelle transversalement comprend : un substrat semi-conducteur, sur lequel est disposée une zone de dérive. La zone de dérive comprend une zone de piège et d'une zone de drain, la zone de piège comprenant une zone active et un canal, et comprend intérieurement une structure d'isolation en tranchée profonde agencée entre la zone de piège et la zone de drain, la structure d'isolation en tranchée profonde étant disposée au fond de ladite zone de dérive et présentant des premières zones d'injection du type P et des premières zones d'injection du type N disposées en alternance.
(ZH) 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法,该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括:半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有漂移区;在所述漂移区中形成有阱区和漏区,在所述阱区中形成有源区和沟道;在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构,在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)