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1. (WO2019046197) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
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国際公開番号: WO/2019/046197 国際出願番号: PCT/US2018/048158
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 27.08.2018
IPC:
H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
22
電流磁気効果,例.ホール効果,を利用した構成部品を含むもの;同様な磁界効果を利用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
発明者:
LI, Xia; US
CHEN, Wei-Chuan; US
HSU, Wah Nam; US
KANG, Seung, Hyuk; US
代理人:
TERRANOVA, Steven, N.; US
優先権情報:
15/688,21228.08.2017US
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES DIFFÉRENTES DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE DIFFÉRENTS
要約:
(EN) The energy barrier of a magnetic tunnel junction (MTJ) affects its write performance as the amount of current required to switch the magnetic orientation of a free layer of the MTJ is a function of its energy barrier. Thus, by varying the energy barriers of MTJ stacks (204) in different magneto-resistive random access memory (MRAM) arrays (208) in a semiconductor die (200), different MRAM arrays may be used for different types of memory provided in the semiconductor die while still achieving distinct performance specifications. The energy barriers can be varied by varying the materials, heights, widths, and/or other characteristics of the MTJ stacks.
(FR) Dans la présente invention, la barrière énergétique d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) a une incidence sur sa performance d'écriture étant donné que la quantité de courant nécessaire à la commutation de l'orientation magnétique d'une couche libre de la MTJ dépend de sa barrière énergétique. Ainsi, par variation des barrières énergétiques d'empilements MTJ (204) dans des réseaux de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM) (208) différents dans une puce semi-conductrice (200), des réseaux de MRAM différents peuvent être utilisés pour des types de mémoire différents compris dans la puce semi-conductrice tout en assurant des spécifications de performance distinctes. On peut faire varier les barrières énergétiques par variation des matériaux, des hauteurs, des largeurs et/ou d'autres caractéristiques des empilements MTJ.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)