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1. (WO2019045652) PHOTODETECTOR
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国際公開番号: WO/2019/045652 国際出願番号: PCT/SG2018/050446
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 04.09.2018
IPC:
H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
0256
材料に特徴のあるもの
0264
無機物材料
0304
ドーピング材料または他の不純物は別として,A↓I↓I↓IB↓V化合物のみを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
105
電位障壁がPIN型からなるもの
出願人:
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SG
THALES SOLUTIONS ASIA PTE LTD [SG/SG]; 21 Changi North Rise, Singapore 498788, SG
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange, 75794 Paris Cedex 16, FR
発明者:
ZHANG, Dao Hua; SG
TONG, Jinchao; SG
TOBING, Landobasa Yosef Mario Alexander Lumban; SG
QIU, Shupeng; SG
代理人:
ONG, Jean Li, Magdelene; SG
優先権情報:
10201707146W04.09.2017SG
発明の名称: (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
要約:
(EN) A photodetector (10) is provided. The photodetector (10) includes a substrate (12), a p-type semiconductor region (14) on the substrate (12), an intrinsic semiconductor region (16) on the p-type semiconductor region (14), an n-type semiconductor region (18) on the intrinsic semiconductor region (16), a surface plasmonic structure (20) on the n-type semiconductor region (18), a cathode (22) electrically connected to the n-type semiconductor region (18), and an anode (24) electrically connected to the p-type semiconductor region (14).
(FR) L'invention concerne un photodétecteur (10). Le photodétecteur (10) comprend un substrat (12), une région semi-conductrice de type p (14) sur le substrat (12), une région semi-conductrice intrinsèque (16) sur la région semi-conductrice de type p (14), une région semi-conductrice de type n (18) sur la région semi-conductrice intrinsèque (16), une structure plasmonique de surface (20) sur la région semi-conductrice de type n (18), une cathode (22) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type n (18), et une anode (24) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type p (14).
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)