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1. (WO2019045107) 反転パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/045107 国際出願番号: PCT/JP2018/032668
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 03.09.2018
IPC:
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
崎田 享平 SAKITA Kyohei; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-16926104.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING REVERSAL PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF D'INVERSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 反転パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are a method for forming a reversal pattern and a method for manufacturing an electronic device which excel in the embeddability of a composition for reversal pattern formation between resist patterns and also excel in the removal selectivity of the resist patterns. The method for forming a reversal pattern includes the steps of: forming a resist film on a substrate using a photosensitive composition in which the value A obtained by formula (1) is 0.14 or greater; exposing the resist film to light; developing the resist film exposed to light and forming a resist pattern; applying a coating of a composition for pattern reversal film formation so as to cover the resist pattern and forming a pattern reversal film; etching back the pattern reversal film and causing the surface of the resist pattern to be exposed; and removing the resist pattern and forming a reversal pattern. Formula (1): A = ([H] x 0.04 + [C] x 1.0 + [N] x 2.1 + [O] x 3.6 + [F] x 5.6 + [S] x 0.04 + [I] x 39.5)/([H] x 1+ [C] x 12 + [N] x 14 + [O] x 16 + [F] x 19 + [S] x 32 + [I] x 127
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un motif d'inversion et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique qui se distinguent par leur capacité à intégrer une composition destinée à la formation d'un motif d'inversion entre des motifs de réserve et par leur excellente sélectivité dans l'élimination des motifs de réserve. Le procédé de formation d'un motif d'inversion comprend les étapes consistant à : former un film de réserve sur un substrat en utilisant une composition photosensible dans laquelle la valeur A obtenue par la formule (1) est égale ou supérieure à 0,14; exposer le film de réserve à la lumière; développer le film de réserve exposé à la lumière et former un motif de réserve; appliquer un revêtement fait d'une composition destinée à la formation d'un film d'inversion de motif de façon à recouvrir le motif de réserve et à former un film d'inversion de motif; graver le film d'inversion de motif et faire en sorte que la surface du motif de réserve soit exposée; et retirer le motif de réserve et former un motif d'inversion. Formule (1) : A = ([H] x 0,04 + [C] x 1,0 + [N] x 2,1 + [O] x 3,6 + [F] x 5,6 + [S] x 0,04 + [I] x 39,5)/([H] x1+ [C] x 12 + [N] x 14 + [O] x 16 + [F] x 19 + [S] x 32 + [I] x 127)
(JA) パターン反転膜形成用組成物のレジストパターン間への埋め込み性が優れ、かつ、レジストパターンの除去選択性にも優れる反転パターン形成方法、電子デバイスの製造方法を提供する。反転パターン形成方法は、式(1)で求められるA値が0.14以上である感光性組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを被覆するように、パターン反転膜形成用組成物を塗布して、パターン反転膜を形成する工程と、パターン反転膜をエッチバックして、レジストパターンの表面を露出させる工程とレジストパターンを除去して反転パターンを形成する工程と、を有する。 式(1):A=([H]×0.04+[C]×1.0+[N]×2.1+[O]×3.6+[F]×5.6+[S]×0.04+[I]×39.5)/([H]×1+[C]×12+[N]×14+[O]×16+[F]×19+[S]×32+[I]×127)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)