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1. (WO2019045088) 高周波モジュールおよびその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/045088 国際出願番号: PCT/JP2018/032529
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 03.09.2018
IPC:
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01) ,H05K 9/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
02
容器,封止
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
22
印刷回路の2次的処理
28
非金属質の保護被覆を施すこと
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
9
電場または磁場に対する装置または部品の遮へい
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
大坪 喜人 OTSUBO, Yoshihito; JP
山口 理 YAMAGUCHI, Osamu; JP
代理人:
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
木村 公一 KIMURA, Koichi; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
優先権情報:
2017-16927404.09.2017JP
発明の名称: (EN) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 高周波モジュールおよびその製造方法
要約:
(EN) Provided is a high frequency module which has stable shielding performance, and wherein a shield layer and a ground electrode of an external substrate are connected to each other by a conductor pin, thereby decreasing the shield resistance. A high frequency module 1 according to the present invention is provided with: a substrate 2; a first component 4 that is mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a second component 5 that is mounted on a lower surface 2b of the substrate 2; an upper sealing resin layer 6 and a lower sealing resin layer 7; a conductor pin 8; and a shield layer 9. The conductor pin 8 has: a terminal part 8a which is exposed from a lower surface 7a of the lower sealing resin layer 7 and is connected to a ground electrode of an external substrate; and a shield connection part 8b which is exposed from a lateral surface 7b of the lower sealing resin layer 7 and is connected to the shield layer 9. Since the terminal part 8a of the conductor pin 8 is connected to the ground electrode, the shield layer 9 is connected to the ground potential with the shortest distance and thus the shield resistance is able to be decreased.
(FR) L'invention concerne un module haute fréquence dont la performance de blindage est stable, et dans lequel une couche de blindage et une électrode de masse d'un substrat externe sont connectées l'une à l'autre au moyen d'une broche conductrice, réduisant ainsi la résistance de blindage. Le module haute fréquence (1) comprend : un substrat (2) ; un premier composant (4) qui est monté sur une surface supérieure (2a) du substrat (2) ; un second composant (5) qui est monté sur une surface inférieure (2b) du substrat (2) ; une couche de résine d'étanchéité supérieure (6) et une couche de résine d'étanchéité inférieure (7) ; une broche conductrice (8) ; et une couche de blindage (9). La broche conductrice (8) présente : une partie borne (8a) qui est exposée depuis une surface inférieure (7a) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à une électrode de masse d'un substrat externe ; et une partie connexion de blindage (8b) qui est exposée depuis une surface latérale (7b) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à la couche de blindage (9). Étant donné que la partie borne (8a) de la broche conductrice (8) est connectée à l'électrode de masse, la couche de blindage (9) est connectée au potentiel de masse par la distance la plus courte, d'où une diminution de la résistance de blindage.
(JA) シールド層と外部基板のグランド電極を導体ピンにより接続し、シールド抵抗を下げ、シールド性能の安定した高周波モジュールを提供する。 高周波モジュール1は、基板2と基板2の上面2aに実装された第1部品4と、基板2の下面2bに実装された第2部品5と、上側封止樹脂層6および下側封止樹脂層7と、導体ピン8と、シールド層9とを備える。導体ピン8は、下側封止樹脂層7の下面7aから露出し外部基板のグランド電極に接続される端子部8aと、下側封止樹脂層7の側面7bから露出しシールド層9に接続されるシールド接続部8bとを有する。導体ピン8の端子部8aがグランド電極に接続されることにより、シールド層9が最短距離でグランド電位に接続され、シールド抵抗を下げることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)