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1. (WO2019044921) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044921 国際出願番号: PCT/JP2018/032004
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 29.08.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
発明者:
箕谷 周平 MITANI Shuhei; JP
梶 愛子 KAJI Aiko; JP
海老原 康裕 EBIHARA Yasuhiro; JP
永岡 達司 NAGAOKA Tatsuji; JP
青井 佐智子 AOI Sachiko; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2017-16688231.08.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) This silicon carbide semiconductor device is provided with: a first current dispersion layer (13), which is formed between an n- type layer (12) and a base region (18), and which is formed of a first conductivity-type silicon carbide having an impurity concentration that is higher than that of the n- type layer (12); a plurality of first deep layers (14), which are formed in the first current dispersion layer (13) such that the first deep layers are shallower than the first current dispersion layer (13), said first deep layers being formed of a second conductivity-type silicon carbide extending in one direction; a second current dispersion layer (15), which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and in which a bottom section of a trench (21) is positioned, said second current dispersion layer being formed of a first conductivity-type silicon carbide; and a second deep layer 17, which is formed between the first current dispersion layer (13) and the base region (18), and which is connected to the base region (18) and the first deep layers (14), said second deep layer being formed of a second conductivity-type silicon carbide that is formed by being separated from the trench (21).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium, comportant : une première couche de dispersion de courant (13), qui est disposée entre une couche de type n- (12) et une région de support (18), et qui est constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ayant une concentration en impuretés supérieure à celle de la couche de type n- (12) ; une pluralité de premières couches profondes (14), qui sont disposées dans la première couche de dispersion de courant (13) de sorte que les premières couches profondes sont moins profondes que la première couche de dispersion de courant (13), lesdites premières couches profondes étant constituées d'un second carbure de silicium à conductivité s'étendant dans une direction ; une seconde couche de dispersion de courant (15), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et dans laquelle une section inférieure d'une tranchée (21) est placée, ladite seconde couche de dispersion de courant étant constituée d'un premier carbure de silicium à conductivité ; et une seconde couche profonde (17), qui est disposée entre la première couche de dispersion de courant (13) et la région de support (18), et qui est reliée à la région de support (18) et aux premières couches profondes (14), ladite seconde couche profonde étant constituée d'un second carbure de silicium à conductivité formé de manière à être séparé de la tranchée (21).
(JA) 型層(12)とベース領域(18)との間に形成され、n型層(12)よりも高不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなる第1電流分散層(13)と、第1電流分散層(13)内に形成され、第1電流分散層(13)より浅くされると共に一方向に延設された第2導電型の炭化珪素からなる複数の第1ディープ層(14)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、トレンチ(21)の底部が位置し、第1導電型の炭化珪素からなる第2電流分散層(15)と、第1電流分散層(13)とベース領域(18)との間に形成され、ベース領域(18)と繋がると共に第1ディープ層(14)と繋がり、かつトレンチ(21)から離れて形成された第2導電型の炭化珪素からなる第2ディープ層17と、を備えるようにする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)