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1. (WO2019044896) 透明導電体及び有機デバイス
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国際公開番号: WO/2019/044896 国際出願番号: PCT/JP2018/031925
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 29.08.2018
IPC:
H01B 5/14 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,B32B 15/04 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14
絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
15
本質的に金属からなる積層体
04
層の主なまたは唯一の構成要素が金属からなり,特定物質の他の層に隣接したもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
26
電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
28
半透明電極
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
発明者:
新開 浩 SHINGAI Hiroshi; JP
西沢 明憲 NISHIZAWA Akinori; JP
原田 ▲祥▼平 HARADA Shouhei; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
2017-16461329.08.2017JP
2017-16461529.08.2017JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT CONDUCTOR AND ORGANIC DEVICE
(FR) CONDUCTEUR TRANSPARENT ET DISPOSITIF ORGANIQUE
(JA) 透明導電体及び有機デバイス
要約:
(EN) Provided is a transparent conductor 10 comprising a transparent substrate 11, a first metal oxide layer 12, a metal layer 18 including a silver alloy, a third metal oxide layer 14, and a second metal oxide layer 16 in this order. The first metal oxide layer 12 is constituted by a metal oxide other than ITO, the second metal oxide layer 16 includes ITO, and the work function of a surface 16a of the second metal oxide layer 16 on the opposite side to the metal layer 18 side is 4.5 eV or higher.
(FR) L'invention concerne un conducteur transparent 10 comprenant un substrat transparent 11, une première couche d'oxyde métallique 12, une couche métallique 18 comprenant un alliage d'argent, une troisième couche d'oxyde métallique 14 et une seconde couche d'oxyde métallique 16 dans cet ordre. La première couche d'oxyde métallique 12 est constituée d'un oxyde métallique autre que l'ITO, la seconde couche d'oxyde métallique 16 comprend de l'ITO, et la fonction de travail d'une surface 16a de la seconde couche d'oxyde métallique 16 sur le côté opposé au côté de la couche métallique 18 est supérieure ou égale à 4,5 eV.
(JA) 透明導電体10は、透明基材11と、第1の金属酸化物層12と、銀合金を含む金属層18と、第3の金属酸化物層14と、第2の金属酸化物層16と、をこの順で備える。第1の金属酸化物層12は、ITOとは異なる金属酸化物で構成され、第2の金属酸化物層16は、ITOを含有し、第2の金属酸化物層16の金属層18側とは反対側の表面16aの仕事関数が4.5eV以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)