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1. (WO2019044874) 感光性樹脂組成物
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国際公開番号: WO/2019/044874 国際出願番号: PCT/JP2018/031879
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 29.08.2018
IPC:
G03F 7/027 (2006.01) ,C08G 73/10 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
027
炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73
グループ12/00~71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06
高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
大橋 拓矢 OHASHI Takuya; JP
西村 直也 NISHIMURA Naoya; JP
遠藤 雅久 ENDO Masahisa; JP
岸岡 高広 KISHIOKA Takahiro; JP
代理人:
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
優先権情報:
2017-16878501.09.2017JP
2018-07889417.04.2018JP
発明の名称: (EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) 感光性樹脂組成物
要約:
(EN) Provided are: a photosensitive resin composition which enables the achievement of a cured body that is further decreased in dielectric constant and dielectric loss tangent; a method for producing a cured relief pattern with use of this photosensitive resin composition; and a semiconductor device which is provided with this cured relief pattern. A negative photosensitive resin composition which contains 100 parts by mass of (A) a polyimide precursor that has a specific unit structure and 0.1-20 parts by mass of (B) a radical photopolymerization initiator.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine photosensible qui permet d'obtenir un corps durci dont la constante diélectrique et la tangente de perte diélectrique sont davantage diminuées ; un procédé qui emploie cette composition de résine photosensible pour produire un motif en relief durci ; et un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu de ce motif en relief durci. L'invention concerne une composition de résine photosensible négative qui contient 100 parties en masse de (A), un précurseur de polyimide qui a une structure unitaire spécifique, et 0,1 à 20 parties en masse de (B), un initiateur de photopolymérisation radicalaire.
(JA) 脂組成物として誘電率や誘電正接のさらなる低減化された硬化体を与える感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いて硬化レリーフパターンを製造する方法、及び該硬化レリーフパターンを備える半導体装置を提供する。 (A)特定の単位構造を有するポリイミド前駆体:100質量部;及び(B)ラジカル型光重合開始剤:0.1質量部~20質量部;を含むネガ型感光性樹脂組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)