このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019044841) 炭化珪素エピタキシャル基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/044841 国際出願番号: PCT/JP2018/031786
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 28.08.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
山本 裕史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
PCT/JP2017/03166801.09.2017JP
PCT/JP2017/04728928.12.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
要約:
(EN) Provided is a silicon carbide epitaxial substrate comprising: a silicon carbide single crystal substrate, the polytype of which is 4H and which has a principal plane that is inclined toward the <11-20> direction from the {0001} plane by an angle θ; and a silicon carbide epitaxial layer formed on the principal plane and having a thickness of t, wherein the diameter of the silicon carbide single crystal substrate is 150 mm or larger, the angle θ is over 0° but not more than 6°, and a pair formed by a pit of screw dislocation and a diagonal line defect present at a position apart from the pit by t/tanθ is present on the surface of the silicon carbide epitaxial layer, the density of the pair formed by the pit and the diagonal line defect being 2 pairs/cm2 or less.
(FR) L'invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium comprenant : un substrat monocristallin de carbure de silicium, dont le polytype est 4H et qui possède un plan principal qui est incliné vers la direction <11-20> depuis le plan {0001} d'un angle θ; et une couche épitaxiale de carbure de silicium formée sur le plan principal et présentant une épaisseur t, le diamètre du substrat monocristallin de carbure de silicium étant supérieur ou égal à 150 mm, l'angle θ étant supérieur à 0° mais inférieur ou égal à 6°, et une paire formée par une piqûre de dislocation en vis et une dislocation diagonale présente au niveau d'une position éloignée de la piqûre de t/tanθ est présente sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium, la densité de la paire formée par la piqûre et la dislocation diagonale ayant une valeur inférieure ou égale à 2 paires/cm2.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、角度θは0°を超え6°以下であって、炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、ピットと斜め線欠陥のペアの密度が2個/cm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)