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1. (WO2019044798) パワー半導体装置を製造する方法、熱プレス用シート及び熱プレス用熱硬化性樹脂組成物
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国際公開番号: WO/2019/044798 国際出願番号: PCT/JP2018/031678
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 28.08.2018
IPC:
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
発明者:
小関 裕太 KOSEKI Yuta; JP
本田 一尊 HONDA Kazutaka; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2017-16340728.08.2017JP
2018-13143511.07.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, SHEET FOR HOT PRESSING, AND THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR HOT PRESSING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, FEUILLE POUR PRESSAGE À CHAUD, ET COMPOSITION DE RÉSINE THERMODURCISSABLE POUR PRESSAGE À CHAUD
(JA) パワー半導体装置を製造する方法、熱プレス用シート及び熱プレス用熱硬化性樹脂組成物
要約:
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a power semiconductor device provided with a wiring board and a power semiconductor element mounted on the wiring board. This method comprises a step in which a laminate having a wiring board, a power semiconductor element, and a metal particle-containing sintered material is heated and pressed by being sandwiched between a stage and a crimping head, and thereby a wiring layer and an electrode are electrically connected via a sintered metal layer formed by sintering the sintered material. The laminate is heated and pressed in a state in which a sheet that is for hot pressing and has a thermosetting resin layer is disposed between the laminate and the crimping head.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance pourvu d'une carte de câblage et d'un élément à semi-conducteur de puissance monté sur la carte de câblage. Ce procédé comprend une étape dans laquelle un stratifié ayant une carte de câblage, un élément à semi-conducteur de puissance et un matériau fritté contenant des particules métalliques est chauffé et pressé en étant pris en sandwich entre un étage et une tête de sertissage, une couche de câblage et une électrode étant ainsi électriquement connectées par l'intermédiaire d'une couche métallique frittée formée par frittage du matériau fritté. Le stratifié est chauffé et pressé à un état dans lequel une feuille qui est destinée à être pressée à chaud et comporte une couche de résine thermodurcissable est disposée entre le stratifié et la tête de sertissage.
(JA) 配線基板及び該配線基板に搭載されたパワー半導体素子を備えるパワー半導体装置を製造する方法が開示される。当該方法は、配線基板とパワー半導体素子と金属粒子を含む焼結材とを有する積層体を、ステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧し、それにより、焼結材の焼結により形成された焼結金属層を介して配線層と電極とを電気的に接続する工程を備える。積層体と圧着ヘッドとの間に、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、積層体が加熱及び加圧される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)