このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019044748) 半導体モジュール及び電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/044748 国際出願番号: PCT/JP2018/031521
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 27.08.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
中嶋 純一 NAKASHIMA, Junichi; JP
森崎 翔太 MORISAKI, Shota; JP
玉田 美子 TAMADA, Yoshiko; JP
中山 靖 NAKAYAMA, Yasushi; JP
根岸 哲 NEGISHI, Tetsu; JP
津田 亮 TSUDA, Ryo; JP
林田 幸昌 HAYASHIDA, Yukimasa; JP
伊達 龍太郎 DATE, Ryutaro; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-16944604.09.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRIC POWER CONVERTER
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS ET CONVERTISSEUR DE COURANT ÉLECTRIQUE
(JA) 半導体モジュール及び電力変換装置
要約:
(EN) According to the present invention, gates of a plurality of semiconductor switching elements (12) are electrically connected to a common gate control pattern (10) by means of wires (15); and sources of the plurality of semiconductor switching elements (12) are electrically connected to a common source control pattern (11) by means of wires (16). Since the gate control pattern (10) is arranged so as to sandwich the source control pattern (11) between itself and the plurality of semiconductor switching elements (12), which are connected in parallel and operate in parallel, the wires (15) are longer than the wires (16) and have higher inductances than the wires (16). Consequently, gate oscillation of the plurality of semiconductor switching elements (12), which are connected in parallel and operate in parallel, are reduced or suppressed.
(FR) Selon la présente invention, des grilles d'une pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12) sont électriquement connectées à un motif de commande de grille commun (10) au moyen de fils (15) ; et des sources de la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12) sont électriquement connectées à un motif de commande de source commun (11) au moyen de fils (16). Comme le motif de commande de grille (10) est agencé de manière à prendre en sandwich le motif de commande de source (11) entre lui-même et la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12), qui sont connectés en parallèle et fonctionnent en parallèle, les fils (15) sont plus longs que les fils (16) et ont des inductances plus élevées que les fils (16). Par conséquent, l'oscillation de grille de la pluralité d'éléments de commutation à semi-conducteurs (12), qui sont connectés en parallèle et fonctionnent en parallèle, est réduite ou supprimée.
(JA) 複数の半導体スイッチング素子(12)のゲートは、ワイヤ(15)によって共通のゲート制御パターン(10)と電気的に接続される。複数の半導体スイッチング素子(12)のソースは、ワイヤ(16)によって共通のソース制御パターン(11)と電気的に接続される。ゲート制御パターン(10)は、並列接続されて並列動作する複数の半導体スイッチング素子(12)に対して、ソース制御パターン(11)を挟んで配置されるので、ワイヤ(15)は、ワイヤ(16)よりも長くなり、ワイヤ(16)よりも大きいインダクタンスを有する。これにより、並列接続されて並列動作する複数の半導体スイッチング素子(12)におけるゲート発振を軽減又は抑制する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)