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1. (WO2019044547) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044547 国際出願番号: PCT/JP2018/030541
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 17.08.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 12/24 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
12
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体
02
1個の不飽和脂肪族基を含有する単量体
04
1個の環を含有するもの
14
異種原子または異種原子含有基で置換されたもの
22
酸素
24
フェノールまたはアルコール
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
米久田 康智 YONEKUTA Yasunori; JP
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
吉村 務 YOSHIMURA Tsutomu; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-16776831.08.2017JP
発明の名称: (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which enables the formation of a pattern having excellent resolution and shape characteristics even if used in thick film applications. Also provided are: a resist film which uses this active light sensitive or radiation sensitive resin composition; a pattern forming method; and a method for producing an electronic device. An active light sensitive or radiation sensitive resin composition according to the present invention is a negative composition that is used for the formation of a pattern having a film thickness of 1 μm or more, and contains at least one acid generator which is selected from the group consisting of compounds represented by general formula (ZI-3) and compounds represented by general formula (ZI-4), a crosslinking agent, a resin which contains a reactive group that is reactive with the crosslinking agent, and at least one resin which is selected from the group consisting of resins having a structure wherein a reactive group is protected by a leaving group that is decomposed and separated by the action of an acid.
(FR) L'invention concerne une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement qui permet la formation d'un motif ayant d'excellentes caractéristiques de résolution et de forme même si elle est utilisée dans des applications sur film épais. L'invention concerne également : un film de réserve qui utilise cette composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement ; un procédé de formation de motif ; et un procédé de production d'un dispositif électronique. Selon la présente invention, une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement est une composition négative qui est utilisée pour la formation d'un motif ayant une épaisseur de film de 1 µm ou plus et qui contient au moins un générateur d'acide qui est choisi parmi le groupe constitué de composés représentés par la formule générale (ZI-3) et de composés représentés par la formule générale (ZI-4), un agent de réticulation, une résine qui contient un groupe réactif qui est réactif avec l'agent de réticulation, et au moins une résine qui est choisie parmi le groupe constitué par des résines ayant une structure dans laquelle un groupe réactif est protégé par un groupe partant qui est décomposé et séparé par l'action d'un acide.
(JA) 厚膜用途に適用した際にも、形成されるパターンの解像性及び形状特性に優れる、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。また、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、膜厚が1μm以上のパターンの形成に用いられる、ネガ型の組成物であって、一般式(ZI-3)で表される化合物及び一般式(ZI-4)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸発生剤と、架橋剤と、架橋剤と反応可能な反応基を含む樹脂、及び、反応基が酸の作用により分解して脱離する脱離基で保護された構造を含む樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)