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1. (WO2019044510) パターン形成方法、イオン注入方法、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044510 国際出願番号: PCT/JP2018/030373
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 15.08.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C08F 230/04 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/075 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
230
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,りん,セレン,テルルまたは金属を含有する化合物の共重合体(金属塩,例.フェノレートまたはアルコラート,は母体化合物を参照)
04
金属を含有する単量体
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
075
シリコン含有化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
米久田 康智 YONEKUTA Yasunori; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
西田 陽一 NISHIDA Yoichi; JP
藤田 光宏 FUJITA Mitsuhiro; JP
代理人:
特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング9階 Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2017-16590930.08.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ION INJECTION METHOD, LAMINATE BODY, KIT, COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, STRATIFIÉ, KIT, COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE, COMPOSITION DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、イオン注入方法、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a pattern formation method and an ion-injection method in which said pattern formation method is used, the pattern formation method comprising: (1) a step for forming a resist underlayer film on a substrate to be processed; (2) a step for forming a resist film on the resist underlayer film, using a resist composition that contains a resin having atoms selected from the group consisting of (A) Si atoms and Ti atoms; (3) a step for exposing the resist film; (4) a step for developing the exposed resist film and forming a resist pattern; (5) a step for forming a pattern by processing the resist underlayer film, using the resist pattern as a mask, wherein the thickness of the resist underlayer film is at least 2.5 µm, and the thickness of the resist film does not exceed 1 µm. The present invention furthermore provides: a laminate, a kit, a composition for forming the resist underlayer film, and the resist composition used in the method for forming a pattern; and a method for manufacturing an electronic device.
(FR) L'invention fournit un procédé de formation de motif qui contient (1) une étape au cours de laquelle un film de sous-couche de réserve est formé sur un substrat à traiter, (2) une étape au cours de laquelle un film de réserve est formé sur le film de sous-couche de réserve, au moyen d'une composition de réserve comprenant une résine ayant un atome choisi dans un groupe constitué d'un atome de Si et d'un atome de Ti, (3) une étape au cours de laquelle le film de réserve est exposé à la lumière, (4) une étape au cours de laquelle un motif de réserve est formé par développement du film de réserve ainsi exposé à la lumière, et (5) une étape au cours de laquelle un motif est formé par usinage du film de sous-couche de réserve avec le motif de réserve pour masque. Plus précisément, ce procédé de formation de motif est tel que l'épaisseur du film de sous-couche de réserve est supérieure ou égale à 2,5μm, et l'épaisseur du film de réserve est inférieure ou égale à 1μm. L'invention fournit également un procédé d'implantation ionique mettant en œuvre ce procédé de formation de motif, un stratifié, un kit, une composition pour formation de film de sous-couche de réserve ainsi qu'une composition de réserve mis en œuvre dans ce procédé de formation de motif, et un procédé de fabrication de dispositif électronique.
(JA) 本発明により、(1)被処理基板上に、レジスト下層膜を形成する工程と、(2)レジスト下層膜上に、(A)Si原子及びTi原子からなる群より選択される原子を有する樹脂を含有するレジスト組成物により、レジスト膜を形成する工程と、(3)レジスト膜を露光する工程と、(4)露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、(5)レジストパターンをマスクとして、レジスト下層膜を加工してパターンを形成する工程、とを含むパターン形成方法であって、レジスト下層膜の膜厚が2.5μm以上であり、レジスト膜の膜厚が1μm以下である、パターン形成方法、及び、これを用いたイオン注入方法、並びに、上記パターン形成方法に用いられる、積層体、キット、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト組成物、及び、電子デバイスの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)