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1. (WO2019044497) キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
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国際公開番号: WO/2019/044497 国際出願番号: PCT/JP2018/030303
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 14.08.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/28 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
27
ラッピングキャリア
28
平面の両面ラッピングのためのもの
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
御厨 俊介 MIKURIYA Shunsuke; JP
三浦 友紀 MIURA Tomonori; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2017-16538730.08.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CARRIER AND METHOD FOR POLISHING WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUPPORT ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE
(JA) キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
要約:
(EN) Proposed are: a method for producing a carrier which is capable of suppressing deterioration of the planarity of a polished semiconductor wafer surface even in cases where double side polishing of a semiconductor wafer is performed repeatedly; and a method for polishing a wafer. The present invention is a method for producing a carrier that is provided with: a metal part which has a retaining hole for retaining a semiconductor wafer; and an annular resin part which is arranged along the inner wall that defines the retaining hole of the metal part, and which protects the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. This method for producing a carrier comprises a preparation step (step S1) for preparing the metal part and the resin part, an arrangement step (step S2) for arranging the resin part within the retaining hole of the metal part, and a resin part polishing step (step S4) for polishing both surfaces of the resin part; and this method for producing a carrier is characterized by comprising, before the resin part polishing step (step S4), a swelling during manufacturing step (step S3) for swelling the resin part arranged within the retaining hole of the metal part by impregnating the resin part with a first liquid.
(FR) L'invention concerne : un procédé de production d'un support qui est apte à supprimer la détérioration de la planéité d'une surface de tranche de semi-conducteur polie même dans des cas où le polissage double face d'une tranche de semi-conducteur est réalisé de manière répétée; et un procédé de polissage d'une tranche. La présente invention concerne un procédé de production d'un support qui est pourvu : d'une partie métallique qui comporte un trou de retenue pour retenir une tranche de semi-conducteur; et d'une partie de résine annulaire qui est disposée le long de la paroi interne qui délimite le trou de retenue de la partie métallique, et qui protège la partie périphérique externe de la tranche de semi-conducteur. Ledit procédé de fabrication d'un support comprend une étape de préparation (étape S1) consistant à préparer la pièce métallique et la pièce en résine, une étape de mise en place (étape S2) consistant à placer la partie de résine dans le trou de retenue de la partie métallique, et une étape de polissage de partie de résine (étape S4) consistant à polir les deux surfaces de la partie de résine; et ledit procédé de production d'un support est caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de polissage de partie de résine (étape S4), un gonflement pendant l'étape de fabrication (étape S3) consistant à gonfler la partie de résine placée dans le trou de retenue de la pièce métallique par imprégnation de la partie de résine avec un premier liquide.
(JA) 半導体ウェーハの両面研磨処理を繰り返し行った場合にも、研磨された半導体ウェーハ表面の平坦度の悪化を抑制することができるキャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法を提案する。半導体ウェーハを保持する保持孔を有する金属部と、該金属部の保持孔を画定する内壁に沿って配置され、半導体ウェーハの外周部を保護する環状の樹脂部とを備えるキャリアを製造する方法であって、金属部および樹脂部を準備する準備工程(ステップS1)と、金属部の保持孔内に樹脂部を配置する配置工程(ステップS2)と、樹脂部の両面を研磨する樹脂部研磨工程(ステップS4)とを備える、キャリアの製造方法において、樹脂部研磨工程(ステップS4)に先立って、金属部の保持孔内に配置された樹脂部に第1の液体を含ませて膨潤させる製造時膨潤工程(ステップS3)を備えることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)