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1. (WO2019044469) パターン形成方法、レジスト組成物、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044469 国際出願番号: PCT/JP2018/030134
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 10.08.2018
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
高桑 英希 TAKAKUWA Hideki; JP
水谷 一良 MIZUTANI Kazuyoshi; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2017-16852101.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING PATTERN, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, COMPOSITION DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、レジスト組成物、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a method for forming a pattern with which it is possible to obtain a pattern that excels in rectangularity. Also provided are a resist composition used in the method for forming the pattern, and a method for manufacturing an electronic device. The method for forming the pattern includes the steps of: exposing, using an i ray, a resist film that includes a novolac resin and a photo-acid generator that generates acid by exposure to an i ray, the content of the novolac resin being 50 mass% or greater with respect to the total solid content of the resist film; and developing the resist film using a developer that contains an organic solvent and forming a pattern.
(FR) L'invention fournit un procédé de formation de motif qui permet d'obtenir un motif d'une excellente rectangularité. En outre, l'invention fournit une composition de réserve mise en œuvre dans ledit procédé de formation de motif, et un procédé de fabrication de dispositif électronique. Le procédé de formation de motif de l'invention présente : une étape au cours de laquelle un film de réserve qui contient une résine novolaque, et un générateur de photoacide générant un acide par exposition à des rayons i, et dont la teneur en résine novolaque est supérieure ou égale à 50% en masse pour l'ensemble de sa matière solide, est soumis à une exposition à la lumière à l'aide de rayons i ; et une étape au cours de laquelle ledit film de réserve forme un motif par développement au moyen d'un développateur liquide contenant un solvant organique.
(JA) 矩形性に優れるパターンを得られるパターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、及び電子デバイスの製造方法を提供する。ノボラック樹脂及びi線露光によって酸を発生する光酸発生剤を含むレジスト膜であって、上記ノボラック樹脂の含有量が、上記レジスト膜の全固形分に対して50質量%以上であるレジスト膜を、i線を用いて露光する工程と、上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)