このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019044448) 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/044448 国際出願番号: PCT/JP2018/029923
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 09.08.2018
IPC:
C07F 5/00 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
5
周期律表の第3族の元素を含有する化合物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
18
金属有機質化合物からのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
発明者:
岡田 奈奈 OKADA, Nana; JP
畑▲瀬▼ 雅子 HATASE, Masako; JP
西田 章浩 NISHIDA, Akihiro; JP
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
優先権情報:
2017-16523530.08.2017JP
発明の名称: (EN) METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING RAW MATERIAL, AND THIN FILM PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSÉ ALCOXYDE MÉTALLIQUE, MATIÈRE PREMIÈRE DE FORMATION DE FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a metal alkoxide compound represented by general formula (1), a thin-film-forming raw material comprising this compound, and a thin film production method using this raw material to form a thin film containing a metal. [Chem. 1] (where: R1 represents a hydrogen atom or an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; R2 represents an isopropyl group, a secondary butyl group, a tertiary butyl group, a secondary pentyl, a 1-ethylpropyl group, or a tertiary pentyl group; R3 represents a hydrogen or an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; R4 represents an alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms; M represents a scandium atom, an yttrium atom, a lanthanum atom, a cerium atom, a praseodymium atom, a neodymium atom, a promethium atom, a samarium atom, an europium atom, a gadolinium atom, a terbium atom, a dysprosium atom, a holmium atom, an erbium atom, a thulium atom, an ytterbium atom, or a lutetium atom; and n represents the valence of the atom represented by M; with the proviso that, if M represents a lanthanum atom, R2 represents a secondary butyl group, a tertiary butyl group, a secondary pentyl, a 1-ethylpropyl group, or a tertiary pentyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé alcoxyde métallique représenté par la formule générale (1), une matière première de formation de film mince comprenant ce composé, et un procédé de production de film mince utilisant cette matière première pour former un film mince contenant un métal. [Formule chimique 1] (où : R1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; R2 représente un groupe isopropyle, un groupe butyle secondaire, un groupe butyle tertiaire, un pentyle secondaire, un groupe 1-éthylpropyle, ou un groupe pentyle tertiaire; R3 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; R4 représente un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone; M représente un atome de scandium, un atome d'yttrium, un atome de lanthane, un atome de cérium, un atome de praséodyme, un atome de néodyme, un atome de prométhium, un atome de samarium, un atome d'europium, un atome de gadolinium, un atome de terbium, un atome de dysprosium, un atome d'holmium, un atome d'erbium, un atome de thulium, un atome d'ytterbium ou un atome de lutécium; et n représente la valence de l'atome représenté par M; à condition que, si M représente un atome de lanthane, R2 représente un groupe butyle secondaire, un groupe butyle tertiaire, un pentyle secondaire, un groupe 1-éthylpropyle, ou un groupe pentyle tertiaire.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表される金属アルコキシド化合物、これを含有してなる薄膜形成用原料、および該原料を用いて金属を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法を提供することにある: 【化1】 (式中、R1は、水素原子または炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R2は、イソプロピル基、第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1-エチルプロピル基または第3ペンチル基を表し、R3は、水素または炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R4は、炭素原子数1~4のアルキル基を表し、Mは、スカンジウム原子、イットリウム原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、プロメチウム原子、サマリウム原子、ユウロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子、ホルミウム原子、エルビウム原子、ツリウム原子、イッテルビウム原子またはルテチウム原子を表し、nは、Mで表される原子の価数を表す。ただし、Mがランタン原子である場合、R2は第2ブチル基、第3ブチル基、第2ペンチル、1-エチルプロピル基または第3ペンチル基である。)
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)