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1. (WO2019044440) 気相成長装置、及び、気相成長方法
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国際公開番号: WO/2019/044440 国際出願番号: PCT/JP2018/029783
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 08.08.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人:
株式会社ニューフレアテクノロジー NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番1 8-1, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
発明者:
醍醐 佳明 DAIGO Yoshiaki; JP
石黒 暁夫 ISHIGURO Akio; JP
伊藤 英樹 ITO Hideki; JP
代理人:
池上 徹真 IKEGAMI, Tetsuma; JP
須藤 章 SUDO, Akira; JP
高下 雅弘 TAKASHITA, Masahiro; JP
優先権情報:
2017-16850801.09.2017JP
発明の名称: (EN) VAPOR-PHASE GROWTH DEVICE AND VAPOR-PHASE GROWTH METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置、及び、気相成長方法
要約:
(EN) A vapor-phase growth device of an embodiment comprises: a reaction chamber; a substrate holder that is provided inside the reaction chamber, and on which a substrate can be placed, the substrate holder having a holding wall that is capable of holding the outer periphery of the substrate while leaving a designated gap; a process gas supply part that has a first region, which is provided above the reaction chamber and in which a first process gas can be supplied to the reaction chamber, and a second region, which is provided around the first region, and in which a second process gas having a higher carbon/silicon atomic ratio than the first process gas can be supplied to the reaction chamber, the inner-periphery diameter of the second region being 75 to 130% (inclusive) of the diameter of the holding wall; a side wall provided inside the reaction chamber in a region between the process gas supply part and the substrate holder, and in which the inner-periphery diameter is 110 to 200% (inclusive) of the outer-periphery diameter of the second region; a first heater provided below the substrate holder; a second heater provided between the side wall and the inner wall of the reaction chamber; and a rotary drive mechanism that causes the substrate holder to rotate.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de croissance en phase vapeur comprend : une chambre de réaction ; un support de substrat qui est disposé à l'intérieur de la chambre de réaction, et sur lequel un substrat peut être placé, le support de substrat ayant une paroi de maintien qui permet de maintenir la périphérie externe du substrat tout en laissant un espace désigné ; une partie de fourniture de gaz de traitement qui a une première région, qui est disposée au-dessus de la chambre de réaction et dans laquelle un premier gaz de traitement peut être fourni à la chambre de réaction, et une seconde région, qui est disposée autour de la première région, et dans laquelle un second gaz de traitement ayant un rapport atomique carbone/silicium plus élevé que le premier gaz de traitement peut être fourni à la chambre de réaction, le diamètre de périphérie interne de la seconde région représentant de 75 à 130 % (inclus) du diamètre de la paroi de maintien ; une paroi latérale disposée à l'intérieur de la chambre de réaction dans une région entre la partie de fourniture de gaz de traitement et le support de substrat, et dans laquelle le diamètre de périphérie interne représente de 110 à 200 % (inclus) du diamètre de périphérie externe de la seconde région ; un premier dispositif de chauffage disposé en dessous du support de substrat ; un second dispositif de chauffage disposé entre la paroi latérale et la paroi interne de la chambre de réaction ; et un mécanisme d'entraînement rotatif qui amène le support de substrat à tourner.
(JA) 実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の中に設けられ、基板が載置可能であり、基板の外周を所定の間隙を有して保持可能な保持壁を有する基板保持部と、反応室の上に設けられ、第1のプロセスガスを反応室に供給可能な第1の領域と、第1の領域の周囲に設けられ第1のプロセスガスよりも炭素/シリコン原子比の高い第2のプロセスガスを反応室に供給可能な第2の領域とを有し、第2の領域の内周直径が保持壁の直径の75%以上130%以下であるプロセスガス供給部と、反応室の中の、プロセスガス供給部と基板保持部との間の領域に設けられ、内周直径が第2の領域の外周直径の110%以上200%以下である側壁と、基板保持部の下に設けられた第1のヒータと、側壁と反応室の内壁との間に設けられた第2のヒータと、基板保持部を回転させる回転駆動機構と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)