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1. (WO2019044411) ヘテロフラーレンならびにそれを用いたn型半導体膜および電子デバイス
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国際公開番号: WO/2019/044411 国際出願番号: PCT/JP2018/029501
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 07.08.2018
IPC:
C01B 32/156 (2017.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
[IPC code unknown for C01B 32/156]
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
30
材料または表面科学のためのナノテクノロジー,例.ナノ複合材料
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
40
ナノ構造物の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
松澤 伸行 MATSUZAWA Nobuyuki; --
笹子 勝 SASAGO Masaru; --
中 順一 NAKA Jun'ichi; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2017-16729631.08.2017JP
発明の名称: (EN) HETEROFULLERENE AND N-TYPE SEMICONDUCTOR FILM USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) HÉTÉROFULLERÈNE ET FILM SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N L'UTILISANT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) ヘテロフラーレンならびにそれを用いたn型半導体膜および電子デバイス
要約:
(EN) In this invention, the n (where n is a positive even number) carbon atoms which constitute heterofullerene are substituted with n boron atoms or n nitrogen atoms.
(FR) Selon la présente invention, les n atomes de carbone (n étant un nombre pair positif) qui constituent un hétérofullerène sont substitués par n atomes de bore ou n atomes d'azote.
(JA) ヘテロフラーレンは、フラーレンを構成するn個(nは正の偶数)の炭素原子をn個のホウ素原子またはn個の窒素原子で置換している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)