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1. (WO2019044392) 気相成長方法
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国際公開番号: WO/2019/044392 国際出願番号: PCT/JP2018/029361
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 06.08.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C30B 25/16 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
16
制御または調整(制御または調整一般G05)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
出願人:
株式会社ニューフレアテクノロジー NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番1 8-1, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
発明者:
醍醐 佳明 DAIGO, Yoshiaki; JP
代理人:
池上 徹真 IKEGAMI, Tetsuma; JP
須藤 章 SUDO, Akira; JP
高下 雅弘 TAKASHITA, Masahiro; JP
優先権情報:
2017-16542330.08.2017JP
発明の名称: (EN) VAPOR-PHASE DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長方法
要約:
(EN) In the vapor-phase deposition method of the present invention, a substrate is placed on a rotary unit provided inside a reaction chamber, a first process gas that does not contain a raw material gas is supplied to the top surface of the substrate from above the substrate, and while the substrate is rotated at 300 rpm or greater, the temperature of the wall surface is varied, and after the temperature of the substrate is increased, the substrate is brought to a designated film formation temperature, a second process gas that contains a raw material gas is supplied to the top surface of the substrate from above the substrate, and an SiC film is grown on the substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de dépôt en phase vapeur, consistant à placer un substrat sur une unité rotative disposée à l'intérieur d'une chambre de réaction, à fournir un premier gaz de traitement qui ne contient pas de gaz de matière première à la surface supérieure du substrat depuis le dessus du substrat, et pendant que le substrat est entraîné en rotation à au moins 300 rpm, à faire varier la température de la surface de paroi, et après que la température du substrat a augmenté, à amener le substrat à une température de formation de film désignée, à fournir un second gaz de traitement qui contient un gaz de matière première à la surface supérieure du substrat depuis le dessus du substrat, et à amener un film de SiC à croître sur le substrat.
(JA) 基板を反応室内に設けられた回転部上に載置し、基板の上方から基板の上面に原料ガスを含まない第1のプロセスガスを供給するとともに、基板を300rpm以上で回転させながら、壁面の温度を変動させ、基板の温度を上昇させた後、基板を所定の成膜温度に制御し、基板の上方から基板の上面に原料ガスを含む第2のプロセスガスを供給して基板上にSiC膜を成長させる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)