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1. (WO2019044355) 半導体発光素子
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国際公開番号: WO/2019/044355 国際出願番号: PCT/JP2018/029031
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 02.08.2018
IPC:
H01S 5/343 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
40
5/02~5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
発明者:
能崎 信一郎 NOZAKI, Shinichiro; --
片山 琢磨 KATAYAMA, Takuma; --
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; JP
寺谷 英作 TERATANI, Eisaku; JP
道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi; JP
優先権情報:
2017-16542230.08.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約:
(EN) A semiconductor light-emitting element (100) including an n-type clad layer (102) comprising a nitride semiconductor, an active layer (103) disposed above the n-type clad layer (102) and comprising a nitride semiconductor, a p-type clad layer (104) disposed above the active layer (103) and comprising a nitride semiconductor, and a p-side electrode (107) disposed above the p-type clad layer (104), wherein the p-type clad layer contains hydrogen, and the center of the p-type clad layer in a downward region from the p-side electrode has a first concentration of the hydrogen lower than a second concentration of the hydrogen at positions in the downward region further to the external edges than the center.
(FR) Cette invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (100) comprend une couche de revêtement de type n (102) comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche active (103) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type n (102) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche de revêtement de type p (104) disposée au-dessus de la couche active (103) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, et une électrode côté p (107) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type p (104), la couche de revêtement de type p contenant de l'hydrogène, et le centre de la couche de revêtement de type p dans une région vers le bas par rapport à l'électrode côté p a une première concentration en hydrogène inférieure à une seconde concentration en hydrogène à des positions dans la région vers le bas plus proches des bords externes que du centre.
(JA) 半導体発光素子(100)は、窒化物半導体からなるn型クラッド層(102)と、n型クラッド層(102)の上方に配置され、窒化物半導体からなる活性層(103)と、活性層(103)の上方に配置され、窒化物半導体からなるp型クラッド層(104)と、p型クラッド層(104)の上方に配置されるp側電極(107)と、を備え、前記p型クラッド層は、水素を含有し、前記p側電極の下方領域における前記p型クラッド層の中央での前記水素の第1濃度は、前記下方領域における前記中央より外縁側の位置での前記水素の第2濃度より低い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)