このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019044303) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/044303 国際出願番号: PCT/JP2018/028149
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 26.07.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
3
単レンズまたは複合レンズ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
発明者:
水村 通伸 MIZUMURA Michinobu; JP
代理人:
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
優先権情報:
2017-16690131.08.2017JP
発明の名称: (EN) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT LASER
(JA) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
要約:
(EN) The laser annealing device according to one embodiment of the present invention comprises a light source for generating laser light, a fly-eye lens for homogenizing the intensity of the laser light, a projection mask for masking the laser light that has passed through the fly-eye lens, and a projection lens for forming, from the laser light that has passed through the projection mask, a laser beam to be impinged in a predetermined range on a substrate. The laser annealing device is configured such that the array orientation of the fly-eye lens is rotated by a predetermined angle with respect to the array orientation of the mask pattern in the projection mask in order to suppress moiré patterns, which could be created when interference fringes generated from the laser light passing through the fly-eye lens pass through the projection mask.
(FR) Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un dispositif de recuit laser, comprenant une source de lumière pour générer une lumière laser, une lentille à facettes multiples pour homogénéiser l'intensité de la lumière laser, un masque de projection pour masquer la lumière laser qui a traversé la lentille à facettes multiples, et une lentille de projection pour former, à partir de la lumière laser qui a traversé le masque de projection, un faisceau laser à appliquer sur une portée prédéterminée sur un substrat. Le dispositif de recuit laser est configuré de telle sorte que l'orientation de réseau de la lentille à facettes multiples est pivotée à un angle prédéterminé par rapport à l'orientation de réseau du motif de masque dans le masque de projection afin de supprimer les motifs de moiré, qui pourraient être créées lorsque des franges d'interférence générées par la lumière laser traversant la lentille à facettes multiples passent à travers le masque de projection.
(JA) 本発明の一態様に係るレーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、レーザ光の強度分布を均一にするためのフライアイレンズと、フライアイレンズを通過したレーザ光をマスキングする投影マスクと、投影マスクを通過したレーザ光から基板の所定の範囲に照射するレーザービームを形成する投影レンズと、を備え、レーザ光がフライアイレンズを通過することによって発生する干渉縞が投影マスクを通過することによって発生し得るモアレを抑制するために、フライアイレンズの配列方向を投影マスクのマスクパターンの配列方向に対して所定角度だけ回転させて構成されている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)