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1. WO2019044285 - Al合金薄膜、発光素子及びスパッタリングターゲット

公開番号 WO/2019/044285
公開日 07.03.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/027750
国際出願日 24.07.2018
IPC
C23C 14/14 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
14金属質材料,ほう素またはけい素
C22C 21/00 2006.1
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
21アルミニウム基合金
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
H01L 21/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/285 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
H01L 33/40 2010.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
CPC
C22C 21/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
21Alloys based on aluminium
C23C 14/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
14Metallic material, boron or silicon
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
H01L 33/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
出願人
  • 株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • ▲吉▼田 慎太郎 YOSHIDA Shintaro
  • 奥野 博行 OKUNO Hiroyuki
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2017-16330128.08.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) Al ALLOY THIN FILM, LIGHT EMITTING ELEMENT AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM MINCE D'ALLIAGE D'ALUMINIUM, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) Al合金薄膜、発光素子及びスパッタリングターゲット
要約
(EN) An Al alloy thin film according to one embodiment of the present invention is directly or indirectly laminated on a substrate that has a refractive index of from 1.5 to 2.0 (inclusive) and has an average film thickness of from 50 nm to 2,000 nm (inclusive), while containing a rare earth element. This Al alloy thin film is configured such that: the maximum crystal grain size of intermetallic compounds of the rare earth element is 300 nm or less, said intermetallic compounds being present in a region that is within ± 20% of the thickness of the Al alloy thin film using the center in the thickness direction as a base line; the intermetallic compounds are present in a dispersed state, with the distance between adjacent intermetallic compounds being 2,000 nm or less; and the reflectance from the substrate side is 60% or more.
(FR) Film mince d'alliage d'aluminium qui est, selon un mode de réalisation de la présente invention, stratifié directement ou indirectement sur un substrat qui a un indice de réfraction de 1,5 à 2,0 (inclus) et une épaisseur moyenne de film de 50 nm à 2 000 nm (inclus), tout en contenant un élément de terre rare. Ce film mince d'alliage d'aluminium est configuré de telle sorte que : la taille de grain cristallin maximale de composés intermétalliques de l'élément de terre rare est inférieure ou égale à 300 nm, lesdits composés intermétalliques étant présents dans une région située dans ± 20 % de l'épaisseur du film mince d'alliage d'aluminium en utilisant le centre dans la direction de l'épaisseur en tant que ligne de base; les composés intermétalliques sont présents dans un état dispersé, la distance entre des composés intermétalliques adjacents étant de 2 000 nm ou moins; et la réflectance depuis le côté substrat étant supérieure ou égale à 60 %.
(JA) 本発明の一態様に係るAl合金薄膜は、屈折率が1.5以上2.0以下である基板に直接又は間接的に積層され、平均膜厚が50nm以上2000nm以下で希土類元素を含むAl合金薄膜であって、上記Al合金薄膜の厚み方向の中心を基準として厚みの±20%以内の領域に存在する上記希土類元素の金属間化合物の最大結晶粒径が300nm以下、かつ隣接する上記金属間化合物が2000nm以下の距離で分散状態で存在し、上記基板側からの反射率が60%以上である。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報