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1. (WO2019044177) パワー半導体装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044177 国際出願番号: PCT/JP2018/025813
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 09.07.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
発明者:
久保木 誉 KUBOKI Takashi; JP
河原 敬二 KAWAHARA Keiji; JP
金野 雄志 KONNO Takeshi; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
優先権情報:
2017-16499430.08.2017JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワー半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of improving the productivity of a power semiconductor device while suppressing deterioration of the heat dissipation performance thereof. A manufacturing method of a power semiconductor device according to the present invention is a manufacturing method of a power semiconductor device which is provided with a conductive member having a first surface and a second surface that is provided on a side opposite to the first surface, and a power semiconductor element connected to the conductive member through a bonding material. This manufacturing method is provided with: a first step for pressing the conductor member so as to form a convex portion on the second surface by pressing a portion of the first surface while leaving a portion that is flush with the first surface to form a concave portion; a second step for disposing the power semiconductor element on the top surface of the convex portion so as to face the concave portion of the first surface and the portion on which the concave portion is not formed, and for joining the convex portion and the power semiconductor element through the bonding material; and a third step for filling at least the concave portion with a sealing material.
(FR) La présente invention aborde le problème d'amélioration de la productivité d'un dispositif semi-conducteur de puissance tout en éliminant la détérioration de sa performance de dissipation thermique. Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance selon la présente invention est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance qui est pourvu d'un élément conducteur présentant une première surface et une seconde surface située sur un côté opposé à la première surface, et d'un élément semi-conducteur de puissance connecté à l'élément conducteur par l'intermédiaire d'un matériau de liaison. Ce procédé de fabrication comprend : une première étape consistant à presser l'élément conducteur de manière à former une partie convexe sur la seconde surface par pression d'une partie de la première surface tout en épargnant une partie qui affleure la première surface de façon à former une partie concave ; une deuxième étape consistant à disposer l'élément semi-conducteur de puissance sur la surface supérieure de la partie convexe de façon à faire face à la partie concave de la première surface et à la partie sur laquelle la partie concave n'est pas formée, et à relier la partie convexe et l'élément semi-conducteur de puissance par l'intermédiaire du matériau de liaison ; et une troisième étape consistant à remplir au moins la partie concave d'un matériau d'étanchéité.
(JA) 本発明の課題は、パワー半導体装置の放熱性能の低下を抑制しながら生産性を向上させることである。 本発明に係るパワー半導体装置の製造方法は、第1面及び当該第1面とは反対側に設けられる第2面を有する導電部材と、接合材を介して前記導電部材と接続されるパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、前記第1面の一部を押圧して当該第1面と面一となる部分を残して凹部を形成させ、前記第2面に凸部を形成させるように当該導体部材をプレスさせる第1工程と、前記パワー半導体素子を前記凸部の頂面であって前記第1面の前記凹部及び当該凹部が形成されていない部分と対向するように配置し、前記接合材を介して当該凸部と前記パワー半導体素子を接続する第2工程と、前記少なくとも前記凹部に封止材を充填する第3工程と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)