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1. (WO2019044142) 基板製造方法
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国際公開番号: WO/2019/044142 国際出願番号: PCT/JP2018/024353
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 27.06.2018
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B28D 5/04 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
[IPC code unknown for B23K 26/53]
B 処理操作;運輸
28
セメント,粘土,または石材の加工
D
石材または石材類似材料の加工
5
宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04
回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
02
熱処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市千種区不老町1番 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601, JP
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
田中 敦之 TANAKA Atsushi; JP
河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke; JP
代理人:
特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM; 愛知県名古屋市西区牛島町6番1号 名古屋ルーセントタワー9階 NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009, JP
優先権情報:
2017-16856901.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT
(JA) 基板製造方法
要約:
(EN) Provided is a technique relating to a method for manufacturing a substrate. This method for manufacturing a substrate includes an irradiation step of irradiating the inside of a gallium nitride (GaN) ingot with laser light from a direction substantially perpendicular to the surface of the ingot to form a modified layer which has gallium deposited thereon and is substantially parallel to the ingot surface. The method for manufacturing a substrate includes a separation step of separating the ingots from each other along the boundary consisting of the position at which the modified layer was formed by dissolving the modified layer.
(FR) L'invention concerne une technique se rapportant à un procédé de fabrication d'un substrat. Ledit procédé de fabrication d'un substrat comprend une étape d'exposition à un rayonnement consistant à exposer l'intérieur d'un lingot de nitrure de gallium (GaN) à une lumière laser depuis une direction sensiblement perpendiculaire à la surface du lingot pour former une couche modifiée sur laquelle est déposé du gallium et qui est sensiblement parallèle à la surface du lingot. Le procédé de fabrication d'un substrat comprend une étape de séparation consistant à séparer les lingots les uns des autres, le long de la limite constituée par la position au niveau de laquelle la couche modifiée a été formée, par dissolution de la couche modifiée.
(JA) 基板製造方法に関する技術を提供する。基板製造方法は、窒化ガリウム(GaN)のインゴットの表面に略垂直な方向からインゴットの内部にレーザ光を照射し、ガリウムが析出した改質層であってインゴット表面に略平行な改質層を形成する照射工程を備える。基板製造方法は、改質層を溶解することで、改質層が形成されていた位置を境界として、インゴットを互いに分離する分離工程を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)