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1. (WO2019044129) 基板処理装置および基板処理方法
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国際公開番号: WO/2019/044129 国際出願番号: PCT/JP2018/023470
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 20.06.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B08B 3/10 (2006.01) ,B08B 5/00 (2006.01) ,B08B 7/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
08
清掃
B
清掃一般;汚れ防止一般
3
液体または蒸気の使用または存在を含む方法による清掃
04
液体との接触を含む清掃
10
液体または清掃される物の付加的処理を有するもの,例.熱,電気,振動によるもの
B 処理操作;運輸
08
清掃
B
清掃一般;汚れ防止一般
5
空気流またはガス流の使用を含む方法による清掃
B 処理操作;運輸
08
清掃
B
清掃一般;汚れ防止一般
7
このサブクラスの単一のグループあるいは他の単一のサブクラスに分類されない方法による清掃
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
上田 大 UEDA Dai; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-16919504.09.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約:
(EN) When a cooling nozzle is in an operating state of discharging cooling gas to a substrate, by a first shutter opening a discharge port, and a second shutter blocking a leak opening, the cooling gas sent to the cooling nozzle is discharged from the discharge port. On the other hand, when the cooling nozzle is in a standby state, by the first shutter blocking the discharge port, and the second shutter opening the leak opening, the cooling gas sent to the cooling nozzle is emitted from the leak opening. When in the standby state, the cooling gas is emitted only from the leak opening that is different from the discharge port, so it is possible to prevent adhesion of frost to the discharge port of the cooling nozzle.
(FR) Lorsqu’une buse de refroidissement est en mode de fonctionnement pour éjecter un gaz de refroidissement vers un substrat, l’ouverture d’un orifice d’éjection par un premier obturateur et le blocage d’une ouverture de fuite par un deuxième obturateur permettent l’éjection du gaz de refroidissement envoyé à la buse de refroidissement par l’orifice d’éjection. En revanche, lorsque la buse de refroidissement est en mode de veille, le blocage de l’orifice d’éjection par le premier obturateur et l’ouverture de l’ouverture de fuite par le deuxième obturateur permettent l’éjection du gaz de refroidissement envoyé à la buse de refroidissement par l’ouverture de fuite. En mode de veille, le gaz de refroidissement est émis uniquement par l’ouverture de fuite, distincte de l’orifice d’éjection, ce qui permet d’éviter l’adhérence de givre à l’orifice d’éjection de la buse de refroidissement.
(JA) 冷却ノズルが基板に冷却ガスを吐出する動作状態のときには、第1シャッターが吐出口を開放するとともに、第2シャッターがリーク開口を閉塞することにより、冷却ノズルに送給された冷却ガスは吐出口から吐出される。一方、冷却ノズルが待機状態のときには、第1シャッターが吐出口を閉塞するとともに、第2シャッターがリーク開口を開放することにより、冷却ノズルに送給された冷却ガスはリーク開口から放出される。待機状態のときには、吐出口とは異なるリーク開口のみから冷却ガスを放出しているため、冷却ノズルの吐出口への霜の付着を防止することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)