このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019043895) シリコンウェーハの両面研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/043895 国際出願番号: PCT/JP2017/031496
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 31.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
山崎 一郎 YAMAZAKI Ichiro; JP
御厨 俊介 MIKURIYA Shunsuke; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの両面研磨方法
要約:
(EN) The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer, the method being capable of suppressing occurrence of micro scratches on the front and back surfaces of a polished silicon wafer. The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer by which the front surface and the back surface of the silicon wafer are polished at the same time by using a double-side polishing apparatus, the method involving continuous implementation of: a first polishing step for performing double-side polishing while supplying, to polishing cloths, a first polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including abrasive grains; a subsequent polishing liquid switching step for stopping the supply of the first polishing liquid and starting the supply of a second polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including an aqueous polymer and not including abrasive grains in a state in which the rotation of an upper polishing plate and a lower polishing plate is continued while the polishing cloth of the upper polishing plate and the polishing cloth of the lower polishing plate remain in contact with the front surface and the rear surface of the silicon wafer, respectively; and a subsequent second polishing step for performing double-side polishing while supplying the second polishing liquid to the polishing cloths.
(FR) La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium, le procédé étant apte à supprimer l'apparition de micro-rayures sur les surfaces avant et arrière d'une tranche de silicium polie. La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium par lequel la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium sont polies en même temps à l'aide d'un appareil de polissage double face, le procédé impliquant la mise en œuvre continue de : une première étape de polissage pour effectuer un polissage double face tout en fournissant, à des tissus de polissage, un premier liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant des grains abrasifs ; une étape de changement de liquide de polissage ultérieure pour arrêter le fourniture du premier liquide de polissage et démarrer la fourniture d'un second liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant un polymère aqueux et ne comprenant pas de grains abrasifs dans un état dans lequel la rotation d'une plaque de polissage supérieure et d'une plaque de polissage inférieure est poursuivie tandis que le tissu de polissage de la plaque de polissage supérieure et le tissu de polissage de la plaque de polissage inférieure restent en contact respectivement avec la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium ; et une seconde étape de polissage ultérieure pour effectuer un polissage double face tout en fournissant le second liquide de polissage aux tissus de polissage.
(JA) 本発明は、研磨後のシリコンウェーハの表裏面にマイクロスクラッチが発生することを抑制できるシリコンウェーハの両面研磨方法を提供する。本発明は、両面研磨装置を用いてシリコンウェーハの表面および裏面を同時に研磨するシリコンウェーハの両面研磨方法であって、砥粒を含むアルカリ水溶液からなる第1の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第1の研磨工程と、その後、シリコンウェーハの表面および裏面に、それぞれ上定盤および下定盤の研磨布を接触させたまま、かつ、上定盤および下定盤の回転を継続した状態で、第1の研磨液の供給を停止するとともに、砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ水溶液からなる第2の研磨液の供給を開始する研磨液切替え工程と、その後、第2の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第2の研磨工程と、を連続して有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)