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1. (WO2019043866) 成膜マスクの製造方法
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国際公開番号: WO/2019/043866 国際出願番号: PCT/JP2017/031346
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 31.08.2017
IPC:
C23C 14/04 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
04
選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの
出願人:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
発明者:
岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko; --
崎尾 進 SAKIO, Susumu; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING FILM FORMATION MASK
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MASQUE DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜マスクの製造方法
要約:
(EN) According to the present invention, a step for forming an opening in a mask base material includes: step A for forming openings inside a first region (R1) including openings of consecutive columns the number of which is a and which include at least (n/2)-th columns or {(n+1)/2}-th columns; step B for forming openings inside a second region (R2) which includes openings of b number of consecutive columns and is adjacent to the first region (R1) in a -x-direction with a first gap region (RS1) therebetween, the first gap region (RS1) including sa number of consecutive columns; and step C for forming openings inside a third region (R3) which includes an opening of c number of consecutive columns and is adjacent to the first region (R1) in an x-direction with a second gap region (RS2) therebetween, the second gap region (RS2) including sb number of consecutive columns, wherein step B and step C are performed after step A.
(FR) Selon la présente invention, l'invention concerne une étape de formation d'une ouverture dans un matériau de base de masque, comprenant : une étape A de formation d'ouvertures au sein d'une première région (R1) comprenant des ouvertures de colonnes consécutives, dont le nombre est a et qui comprennent au moins (n/2)-ièmes colonnes ou {(n+1)/2}èmes colonnes ; une étape B de formation d'ouvertures au sein d'une deuxième région (R2), qui comprend des ouvertures d'un nombre b de colonnes consécutives et qui est adjacente à la première région (R1) dans une direction x, une première région d'espace (RS1) étant ménagée entre ces dernières, la première région d'espace (RS1) comprenant un nombre sa de colonnes consécutives ; et une étape C de formation d'ouvertures au sein d'une troisième région (R3), qui comprend une ouverture d'un nombre c de colonnes consécutives et qui est adjacente à la première région (R1) dans une direction x, une deuxième région d'espace (RS2) étant ménagée entre ces dernières, la deuxième région d'espace (RS2) comprenant un nombre sb de colonnes consécutives, l'étape B et l'étape C étant effectuées après l'étape A.
(JA) マスク基材に開口部を形成する工程は、少なくとも(n/2)番目の列または{(n+1)/2}番目の列を含む、a本の連続した列の開口部を含む第1領域(R1)内の開口部を形成する工程Aと、sa本の連続した列を含む第1間隙領域(RS1)を介して、第1領域(R1)と-x方向に隣接し、b本の連続した列の開口部を含む第2領域(R2)内の開口部を形成する工程Bと、sb本の連続した列を含む第2間隙領域(RS2)を介して、第1領域(R1)とx方向に隣接し、c本の連続した列の開口部を含む第3領域(R3)内の開口部を形成する工程Cとを含み、工程Aの後に、工程Bおよび工程Cを行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)