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1. WO2019043864 - 端面入射型受光素子
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公開番号
WO/2019/043864
公開日
07.03.2019
国際出願番号
PCT/JP2017/031339
国際出願日
31.08.2017
IPC
H01L 31/0232
2014.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
H01L 31/0232
2014.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
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CPC
F21S 41/24
F
MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21
LIGHTING
S
NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
41
Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
20
characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
24
Light guides
F21Y 2115/10
F
MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21
LIGHTING
Y
INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES
F21K
,
F21L
,
F21S
and
F21V
, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
2115
Light-generating elements of semiconductor light sources
10
Light-emitting diodes [LED]
G02B 6/4214
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4204
the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
4214
the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
G02B 6/4225
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4219
Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
422
Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
4225
by a direct measurement of the degree of coupling, e.g. the amount of light power coupled to the fibre or the opto-electronic element
G02B 6/4286
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4286
Optical modules with optical power monitoring
H01L 31/0232
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
Details
0232
Optical elements or arrangements associated with the device
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F21S 41/24
F
MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21
LIGHTING
S
NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
41
Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
20
characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
24
Light guides
F21Y 2115/10
F
MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
21
LIGHTING
Y
INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES
F21K
,
F21L
,
F21S
and
F21V
, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
2115
Light-generating elements of semiconductor light sources
10
Light-emitting diodes [LED]
G02B 6/4214
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4204
the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
4214
the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
G02B 6/4225
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4219
Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
422
Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
4225
by a direct measurement of the degree of coupling, e.g. the amount of light power coupled to the fibre or the opto-electronic element
G02B 6/4286
G
PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
4201
Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4286
Optical modules with optical power monitoring
H01L 31/0232
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
Details
0232
Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 31/02327
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
Details
0232
Optical elements or arrangements associated with the device
02327
the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
H01L 31/03046
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248
characterised by their semiconductor bodies
0256
characterised by the material
0264
Inorganic materials
0304
including, apart from doping materials or other impurities, only A
III
B
V
compounds
03046
including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
H01L 31/035281
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248
characterised by their semiconductor bodies
0352
characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272
characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
035281
Shape of the body
H01L 31/109
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101
Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102
characterised by only one potential barrier or surface barrier
109
the potential barrier being of the PN heterojunction type
分類の表示データを減らす
出願人
株式会社京都セミコンダクター KYOTO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
[JP]/[JP]
発明者
大村 悦司 OMURA, Etsuji
磯村 尚友 ISOMURA, Takatomo
臼井 健 USUI, Ken
代理人
立花 顕治 TACHIBANA, Kenji
山下 未知子 YAMASHITA, Michiko
桝田 剛 MASUDA, Tsuyoshi
優先権情報
公開言語 (言語コード)
日本語 (ja)
出願言語 (言語コード)
日本語 (JA)
指定国 (国コード)
すべて表示
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
すべて非表示
発明の名称
(EN)
END SURFACE INCIDENT-TYPE LIGHT RECEIVING ELEMENT
(FR)
ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE DE TYPE INCIDENT DE SURFACE D'EXTRÉMITÉ
(JA)
端面入射型受光素子
要約
(EN)
An end surface incident-type light receiving element according to an aspect of the present disclosure is configured of a semiconductor material, and is provided with: an upper surface and a lower surface which are opposed to each other in a vertical direction; and an end surface which links the ends of the upper surface and the lower surface and which is disposed on the side of a light source for irradiating light. At least a part of the end surface is inclined with respect to the vertical direction so that the lower surface side is closer to the light source than the upper surface side. The lower surface has one or a plurality of grooves. An inclined surface on the end surface side of the one or the plurality of grooves is disposed so as to reflect light that has entered from the light source via the end surface. The upper surface is provided with a light receiving region for receiving light that has been reflected by the inclined surface on the end surface side of the one or the plurality of grooves.
(FR)
Un aspect de la présente invention concerne un élément de réception de lumière de type incident de surface d'extrémité constitué d'un matériau semi-conducteur, et comportant : une surface supérieure et une surface inférieure qui sont opposées l'une à l'autre dans une direction verticale; et une surface d'extrémité qui relie les extrémités de la surface supérieure et de la surface inférieure et qui est disposée sur le côté d'une source de lumière pour irradier de la lumière. Au moins une partie de la surface d'extrémité est inclinée par rapport à la direction verticale de telle sorte que le côté de surface inférieure est plus proche de la source de lumière que le côté de surface supérieure. La surface inférieure comporte une ou plusieurs rainures. Une surface inclinée sur le côté de surface d'extrémité de la rainure ou de la pluralité de rainures est disposée de façon à réfléchir la lumière qui a pénétré à partir de la source de lumière par l'intermédiaire de la surface d'extrémité. La surface supérieure est pourvue d'une région de réception de lumière pour recevoir la lumière qui a été réfléchie par la surface inclinée sur le côté de surface d'extrémité de la rainure ou de la pluralité de rainures.
(JA)
本開示の一側面に係る端面入射型受光素子は、半導体材料で構成され、垂直方向に対向する上面及び下面と、上面及び下面の端部同士を連結し、光を照射する光源側に配置される端面と、を備える。端面の少なくとも一部分は、上面側よりも下面側が光源に近付くように垂直方向に対して傾斜している。下面には、１又は複数の溝が設けられる。１又は複数の溝の前記端面側の斜面は、光源から端面を介して入射した光を反射するように配置される。上面側には、１又は複数の溝の端面側の斜面で反射された光を受光する受光領域が設けられる。
関連特許文献
JPWO2019043864
US20210083131
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