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1. (WO2019043003) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
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国際公開番号: WO/2019/043003 国際出願番号: PCT/EP2018/073132
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 28.08.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
075
装置がグループ33/00に分類された型からなるもの
出願人:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
発明者:
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
MÜLLER, Christian; DE
代理人:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
優先権情報:
10 2017 120 037.131.08.2017DE
発明の名称: (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP-ARRAY
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT, PUCE SEMI-CONDUCTRICE À ÉMISSION DE RAYONNEMENT ET RÉSEAU DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
要約:
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), - Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst, - Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen oder dreieckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und - Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige oder dreickige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft, wobei die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des Halbleiterschichtenstapels steht.
(EN) The invention relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor chips, comprising the steps of: - providing a growth substrate (1), - epitaxial growing of an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having an active zone (3), which is suitable for generating electromagnetic radiation, on the growth substrate (1), wherein the semiconductor layer sequence (2) comprises a nitride compound semiconductor material, - applying a structured photoresist layer (4) having hexagonal or triangular structural elements (5) to the semiconductor layer sequence (2), wherein regions of the semiconductor layer sequence (2) between the structural elements (5) are freely accessible, and - etching the semiconductor layer sequence (2) in the freely accessible regions so as to create hexagonal or triangular semiconductor layer stacks (2) having lateral surfaces (11), of which at least one lateral surface (11) extends parallel to an m-surface (7) or parallel to an a-surface (6) of the nitride compound semiconductor material, wherein the semiconductor layer stacks are in the form of six-sided or three-sided prisms, and the active zone stands perpendicular to the lateral surfaces of the semiconductor layer stacks.
(FR) L'invention concerne un procédé servant à fabriquer une pluralité de puces semi-conductrices à émission de rayonnement, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat de croissance (1) ; faire croître par épitaxie une succession de couches semi-conductrices (2) épitaxiales comprenant une zone active (3) qui est adaptée pour générer un rayonnement électromagnétique, sur le substrat de croissance (1), la succession de couches semi-conductrices (2) comprenant un matériau semi-conducteur à base d'un composé nitrure ; appliquer une couche de laque photosensible (4) structurée comprenant des éléments structurels (5) hexagonaux ou triangulaires sur la succession de couches semi-conductrices (2), des zones de la succession de couches semi-conductrices (2) étant librement accessibles entre les éléments structurels (5), et ; graver la succession de couches semi-conductrices (2) dans les zones librement accessibles de manière à faire apparaître des empilements de couches semi-conductrices (2) hexagonaux ou triangulaires comprenant des faces latérales (11), parmi lesquelles au moins une face latérale (11) s'étend de manière parallèle par rapport à une face m (7) ou de manière parallèle par rapport à une face a (6) du matériau semi-conducteur à base de composé nitrure. Les empilements de couches semi-conductrices sont réalisés sous la forme de prismes hexagonaux ou triangulaires, et la zone active est à la verticale sur les faces latérales de l'empilement de couches semi-conductrices.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)