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1. (WO2019041976) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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国際公開番号: WO/2019/041976 国際出願番号: PCT/CN2018/091784
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 19.06.2018
IPC:
H01L 21/77 (2017.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
出願人:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
発明者:
BAN, Shengguang; CN
CAO, Zhanfeng; CN
YAO, Qi; CN
代理人:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
優先権情報:
201710772525.031.08.2017CN
発明の名称: (EN) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
要約:
(EN) The present application provides an array substrate. The array substrate includes a base substrate; a light shielding layer on the base substrate; a metal oxide layer on a side of the light shielding layer distal to the base substrate; and an active layer on a side of the metal oxide layer distal to the base substrate. The metal oxide layer includes a metal oxide material. The light shielding layer includes amorphous silicon. An orthographic projection of the light shielding layer on the base substrate substantially overlaps with an orthographic projection of the active layer on the base substrate, and substantially overlaps with an orthographic projection of the metal oxide layer on the base substrate.
(FR) La présente invention se rapporte à un substrat de réseau. Le substrat de réseau comprend un substrat de base; une couche de protection contre la lumière sur le substrat de base; une couche d'oxyde métallique sur un côté de la couche de protection contre la lumière distal par rapport au substrat de base; et une couche active sur un côté de la couche d'oxyde métallique distal par rapport au substrat de base. La couche d'oxyde métallique comprend un matériau d'oxyde métallique. La couche de protection contre la lumière comprend du silicium amorphe. Une projection orthographique de la couche de protection contre la lumière sur le substrat de base chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche active sur le substrat de base, et chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche d'oxyde métallique sur le substrat de base.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)