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1. (WO2019041904) LIMITING DEVICE, LIMITING STRUCTURE, ADJUSTING METHOD THEREFOR, AND VAPOR DEPOSITION SYSTEM
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国際公開番号: WO/2019/041904 国際出願番号: PCT/CN2018/088180
国際公開日: 07.03.2019 国際出願日: 24.05.2018
IPC:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
24
真空蒸着
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
54
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
出願人:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园内 Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
発明者:
段廷原 DUAN, Tingyuan; CN
邹清华 ZOU, Qinghua; CN
姚固 YAO, Gu; CN
代理人:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层陈源 CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
優先権情報:
201710758151.729.08.2017CN
発明の名称: (EN) LIMITING DEVICE, LIMITING STRUCTURE, ADJUSTING METHOD THEREFOR, AND VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE LIMITATION, STRUCTURE DE LIMITATION, PROCÉDÉ DE RÉGLAGE ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(ZH) 限制装置、限制结构及其调节方法和蒸镀系统
要約:
(EN) A limiting device for vapor deposition, comprising a limiting structure; the limiting structure comprises a first adjusting structure (1) and a second adjusting structure (2) which are provided on the same plane, the first adjusting structure (1) being opposite to a side of the second adjusting structure (2), and the first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) being spaced apart from each other to form a spacing region. The first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) are configured to be able to move relative to each other so as to adjust the range of the spacing region. Further provided are an adjusting method for a limiting structure, an adjusting method for a limiting device, and a vapor deposition system.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de limitation pour un dépôt en phase vapeur, comprenant une structure de limitation ; la structure de limitation comprend une première structure de réglage (1) et une seconde structure de réglage (2) qui sont disposées sur le même plan, la première structure de réglage (1) étant disposée en regard d'un côté de la seconde structure de réglage (2), et la première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) étant espacées l'une de l'autre pour former une région d'espacement. La première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) sont conçues pour pouvoir se déplacer l'une par rapport à l'autre de sorte à régler la plage de la région d'espacement. L'invention concerne en outre un procédé de réglage pour une structure de limitation, un procédé de réglage pour un dispositif de limitation, et un système de dépôt en phase vapeur.
(ZH) 一种用于蒸镀的限制装置,包括限制结构,限制结构包括设置于同一平面上的第一调节结构(1)和第二调节结构(2),第一调节结构(1)与第二调节结构(2)的侧边相对,且第一调节结构(1)与第二调节结构(2)相互间隔形成间隔区域。第一调节结构(1)和第二调节结构(2)构造为相对彼此可移动,以调节间隔区域的范围。还公开一种限制结构的调节方法、限制装置的调节方法以及蒸镀系统。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)