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1. (WO2019039355) レジスト下層膜形成組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/039355 国際出願番号: PCT/JP2018/030292
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 14.08.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
緒方 裕斗 OGATA, Hiroto; JP
臼井 友輝 USUI, Yuki; JP
遠藤 雅久 ENDO, Masahisa; JP
岸岡 高広 KISHIOKA, Takahiro; JP
代理人:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2017-16148024.08.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
要約:
(EN) [Problem] To provide a novel composition for forming a resist underlayer film. [Solution] A composition for forming a resist underlayer film, which contains a copolymer having a constituent unit represented by formula (1) and a solvent. (In the formula, X represents a bivalent linear hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, wherein the bivalent linear hydrocarbon group may have at least one sulfur or oxygen atom in the main chain thereof and may have at last one hydroxy group as a substituent; R represents a linear hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; and two n's independently represent 0 or 1.)
(FR) L'invention concerne une nouvelle composition de formation d'un film de sous-couche de résine. La solution selon l'invention porte sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de résine qui contient un copolymère ayant une unité structurelle représentée par la formule (1), et un solvant. Dans la formule, X représente un groupe hydrocarbure linéaire bivalent ayant 2 à 10 atomes de carbone, le groupe hydrocarbure linéaire bivalent pouvant avoir au moins un atome de soufre ou d'oxygène dans sa chaîne principale et pouvant avoir au moins un groupe hydroxy en tant que substituant; R représente un groupe hydrocarbure linéaire ayant de 1 à 10 atomes de carbone; et deux n représentent indépendamment 0 ou 1.
(JA) 【課題】 新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有する共重合体及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。(上記式中、Xは炭素原子数2乃至10の二価の鎖状炭化水素基を表し、該二価の鎖状炭化水素基は、主鎖に硫黄原子又は酸素原子を少なくとも1つ有していてもよく、また置換基としてヒドロキシ基を少なくとも1つ有していてもよく、Rは炭素原子数1乃至10の鎖状炭化水素基を表し、2つのnはそれぞれ0又は1を表す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)