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1. (WO2019039278) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
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国際公開番号: WO/2019/039278 国際出願番号: PCT/JP2018/029730
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 08.08.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H04N 1/028 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
1
文書または類似のものの走査,伝送または再生,例.ファクシミリ伝送;それらの細部
024
走査ヘッドの細部
028
画像情報読取りのためのもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
長田 昌也 NAGATA Masaya; JP
脇山 悟 WAKIYAMA Satoru; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-15909022.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
要約:
(EN) The present technique relates to a solid-state image capture device with which the number of terminals can be increased, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus. The solid-state image capture device is provided with: an image sensor substrate provided with a light reception region in which pixels for converting input light into an electric signal are arranged in a matrix; a solder ball which is disposed on the outside in the plane direction of the image sensor substrate and which outputs the electric signal; a glass substrate which is opposed to the image sensor substrate and the solder ball; and a through-electrode which connects a wiring pattern formed in the glass substrate and the solder ball through a glass adhesive resin inserted therebetween. The present disclosure may be applied in a package and the like provided with an image sensor substrate, for example.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteur avec lequel le nombre de bornes peut être augmenté, son procédé de fabrication, et un appareil électronique. Le dispositif de capture d'image à semi-conducteur comprend : un substrat de capteur d'image comprenant une région de réception de lumière dans laquelle des pixels pour convertir une lumière d'entrée en un signal électrique sont agencés dans une matrice; une bille de soudure qui est disposée sur l'extérieur dans la direction du plan du substrat de capteur d'image et qui délivre le signal électrique; un substrat en verre qui est opposé au substrat de capteur d'image et à la bille de soudure; et une électrode traversante qui connecte un motif de câblage formé dans le substrat en verre et la bille de soudure à travers une résine adhésive en verre insérée entre ceux-ci. La présente invention peut être appliquée dans un boîtier et similaire comportant un substrat de capteur d'image, par exemple.
(JA) 本技術は、端子数を増大することができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、入射された光を電気信号へ変換する画素が行列状に配置された受光領域を備えるイメージセンサ基板と、イメージセンサ基板の平面方向外側に配置され、電気信号を出力するはんだボールと、イメージセンサ基板およびはんだボールと、対向して配置されたガラス基板と、ガラス基板に形成された配線パターンとはんだボールとを、その間に挿入されたガラス接着樹脂を貫通して接続する貫通電極とを備える。本開示は、例えば、イメージセンサ基板を備えるパッケージ等に適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)