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1. (WO2019039273) 再結合ライフタイムの制御方法
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国際公開番号: WO/2019/039273 国際出願番号: PCT/JP2018/029697
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 08.08.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,C30B 13/10 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/322 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
13
ゾーンメルティングによる単結晶成長;ゾーンメルティングによる精製
08
溶融ゾーンに結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの
10
ドープ物質を加えるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
322
半導体本体の内部性質の改変,例.内部不完全性の形成
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
竹野 博 TAKENO Hiroshi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-15979822.08.2017JP
発明の名称: (EN) RECOMBINATION LIFETIME CONTROL METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE DURÉE DE VIE DE RECOMBINAISON
(JA) 再結合ライフタイムの制御方法
要約:
(EN) The present invention provides a control method for controlling the recombination lifetime of a carrier in a silicon substrate by performing: a preparation step of preparing a silicon substrate in which the recombination lifetime of a carrier is to be controlled; a particle beam irradiation step; and a thermal processing step. The recombination lifetime control method is characterized in that, before the preparation step is performed, a correlation between a measured recombination lifetime and a nitrogen concentration is acquired in advance, and, on the basis of the correlation, the nitrogen concentration is adjusted in the preparation step so that the recombination lifetime after the thermal processing step for the silicon substrate becomes a target value. In this way, a recombination lifetime control method is provided with which, in a step of manufacturing a power device in which the recombination lifetime of a carrier is controlled, it is possible to decrease variations in recombination lifetime and to control recombination lifetime with high accuracy.
(FR) La présente invention concerne un procédé de contrôle pour contrôler la durée de vie de recombinaison d'un porteur dans un substrat de silicium en effectuant : une étape de préparation consistant à préparer un substrat de silicium dans lequel la durée de vie de recombinaison d'un porteur doit être contrôlée; une étape d'irradiation par faisceau de particules; et une étape de traitement thermique. Le procédé de contrôle de durée de vie de recombinaison est caractérisé en ce que, avant l'étape de préparation, une corrélation entre une durée de vie de recombinaison mesurée et une concentration en azote est préalablement acquise, et, sur la base de la corrélation, la concentration en azote est ajustée à l'étape de préparation de telle sorte que la durée de vie de recombinaison après l'étape de traitement thermique pour le substrat de silicium atteigne une valeur cible. De cette manière, l'invention apporte un procédé de contrôle de durée de vie de recombinaison avec lequel, à une étape de fabrication d'un dispositif de puissance dans lequel la durée de vie de recombinaison d'un porteur est contrôlée, il est possible de réduire les variations de durée de vie de recombinaison et de contrôler la durée de vie de recombinaison avec une grande précision.
(JA) 本発明は、キャリアの再結合ライフタイムを制御するシリコン基板を準備する準備工程と、粒子線照射工程と、熱処理工程と、を行うことで前記シリコン基板のキャリアの再結合ライフタイムを制御する制御方法であって、前記準備工程を行う前に予め、測定した再結合ライフタイムと窒素濃度との相関関係を取得し、この相関関係に基づいて、前記シリコン基板の前記熱処理工程後の再結合ライフタイムが目標値になるように、前記準備工程で窒素濃度を調整することを特徴とする再結合ライフタイムの制御方法である。これにより、キャリアの再結合ライフタイムを制御するパワーデバイスの製造工程において、再結合ライフタイムのばらつきを小さくでき、高精度で制御できる再結合ライフタイムの制御方法が提供される。
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)