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1. (WO2019039257) 半導体層の電気的欠陥濃度評価方法、及び半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/039257 国際出願番号: PCT/JP2018/029484
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 06.08.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 29/80 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
発明者:
角嶋 邦之 KAKUSHIMA Kuniyuki; JP
星井 拓也 HOSHII Takuya; JP
若林 整 WAKABAYASHI Hitoshi; JP
筒井 一生 TSUTSUI Kazuo; JP
岩井 洋 IWAI Hiroshi; JP
山本 大貴 YAMAMOTO Taiki; JP
代理人:
特許業務法人平田国際特許事務所 HIRATA & PARTNERS; 東京都千代田区二番町4番地3 二番町カシュービル6階 6th Floor, Niban-cho Cashew Building, 4-3, Niban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2017-16160424.08.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR EVALUATING ELECTRICAL DEFECT DENSITY OF SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DENSITÉ DE DÉFAUTS ÉLECTRIQUES DE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE, ET ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体層の電気的欠陥濃度評価方法、及び半導体素子
要約:
(EN) One embodiment of the present invention provides a method for evaluating the electrical defect density of a semiconductor layer, which comprises: a step for measuring an electric current by applying a voltage to a semiconductor element 1 which comprises a GaN layer 12 that serves as a semiconductor layer; and a step for deriving the electrical defect density in the GaN layer 12 with use of the measured electric current value.
(FR) Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé d'évaluation de la densité de défauts électriques d'une couche semi-conductrice, qui comprend : une étape consistant à mesurer un courant électrique par application d'une tension à un élément semi-conducteur (1) qui comprend une couche de GaN (12) qui sert de couche semi-conductrice; et une étape consistant à dériver la densité de défauts électriques dans la couche de GaN (12) à l'aide de la valeur de courant électrique mesurée.
(JA) 一実施の形態として、半導体層としてのGaN層12を含む半導体素子1に電圧を印加して電流を測定するステップと、測定された電流の値を用いてGaN層12中の電気的欠陥濃度を導出するステップと、を含む、半導体層の電気的欠陥濃度評価方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)