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1. (WO2019039240) 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子、および半導体素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/039240 国際出願番号: PCT/JP2018/029298
国際公開日: 28.02.2019 国際出願日: 03.08.2018
IPC:
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22
粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
株式会社小糸製作所 KOITO MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区高輪4丁目8番3号 8-3, Takanawa 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1088711, JP
学校法人 名城大学 MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501 1-501, Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502, JP
発明者:
神野 大樹 JINNO Daiki; JP
上山 智 KAMIYAMA Satoshi; JP
代理人:
特許業務法人 信栄特許事務所 SHIN-EI PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング8階 Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2017-15923222.08.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR GROWTH, SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) SUBSTRAT POUR CROISSANCE DE SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子、および半導体素子の製造方法
要約:
(EN) According to the present invention, the r plane of a sapphire (1) is used as a main surface and a nanometer-sized uneven part (1a) is formed in the main surface for the purpose of obtaining a substrate (S) for semiconductor growth. The maximum dimension of the uneven part (1a) in the in-plane direction of the main surface is less than 1 μm.
(FR) Selon la présente invention, le plan r d'un saphir (1) est utilisé comme surface principale et une partie irrégulière de taille nanométrique (1a) est formée dans la surface principale dans le but d'obtenir un substrat (S) en vue d'une croissance de semi-conducteur. La dimension maximale de la partie irrégulière (1a) dans la direction dans le plan de la surface principale est inférieure à 1 µm.
(JA) 半導体成長用基板(S)を得るために、サファイア(1)のr面が主面とされ、主面にナノサイズの非平坦部(1a)が形成されている。非平坦部(1a)は、主面の面内方向における最大寸法が1μm未満である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)